低压MOSFET - 深圳市明和研翔科技有限公司

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	20V/5A 双沟道 N MOS MH9926	20V/5A 双沟道 N MOS MH9926采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。20V/5A 双沟道 N MOS MH9926适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
	20V 5.4A N MOS管 MH2306	20V 5.4A N MOS MH2306采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。ID电流可高达：5.4A
	高性价！20V 2.8A N MOS管 MH2302	高性价！20V 2.8A N MOS管MH2302采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。
	高性价！20V P 沟道MOS 管 MH2301	高性价！20V P 沟道MOS 管MH2301采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备、电子开关等应用。
	低价！20V N-沟道增强型MOS MH2300	低价！20V N-沟道增强型MOS MH2300采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。
	低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管 MH2310X	低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管2310X系列N沟道增强模式场效应晶体管，采用DMOS沟道技术制造具极高的单元密度。采用该技术的MOS管特别适用于*大限度地减少MOS管通态电阻。同时该MOS管也特别适合低电压应用，低功耗及小封装尺寸等要求。

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