20V/5A 双沟道 N MOS MH9926
产品简介
20V/5A 双沟道 N MOS MH9926采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。20V/5A 双沟道 N MOS MH9926适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
产品详细信息
20V/5A 双沟道 N MOS MH9926
双沟道 N MOS 特 点
20V/5A
RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
超大密度单元、极小的RDS(ON))
贴片封装:SOP8(高热耗散功率)
双沟道 N MOS 推荐应用
笔记本电池管理、便携式设备、电池电源系统、DC/DC转换、负载开关、LCD显示适配器
双沟道 N MOS 结构图
双沟道 N MOS 特 点
20V/5A
RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
超大密度单元、极小的RDS(ON))
贴片封装:SOP8(高热耗散功率)
双沟道 N MOS 推荐应用
笔记本电池管理、便携式设备、电池电源系统、DC/DC转换、负载开关、LCD显示适配器
双沟道 N MOS 结构图