低价!20V N-沟道增强型MOS MH2300
产品简介
低价!20V N-沟道增强型MOS MH2300采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。
产品详细信息
低价!20V N-沟道增强型MOS MH2300
增强型MOS MH2300 特 点
VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.2A = 30mΩ
SOT23超小型封装
增强型MOS MH2300 推荐应用
锂电供电设备、LED手电筒、LED照明灯具、高速开关、DC/DC升压转换、手机充电器、手机应急冲等领域
增强型MOS MH2300 结构图
增强型MOS MH2300 特 点
VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.2A = 30mΩ
SOT23超小型封装
增强型MOS MH2300 推荐应用
锂电供电设备、LED手电筒、LED照明灯具、高速开关、DC/DC升压转换、手机充电器、手机应急冲等领域
增强型MOS MH2300 结构图