MOSFET - 深圳市明和研翔科技有限公司

产品资讯

请输入产品名称

JUKI贴片机单极霍尔开关 pcb设备全方位海绵无感电容电源供应 MDD72-16N1B-IXYS二极管

关注微信随身推

深圳市明和研翔科技有限公司
新增产品 | 公司简介
注册时间：2009-04-03
联系人：
电话：
Email：

首页公司简介产品目录公司新闻技术文章资料下载成功案例人才招聘荣誉证书联系我们

产品目录

当前位置：

首页 > 产品目录 > MOSFET

低压MOSFET

产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	20V/5A 双沟道 N MOS MH9926	20V/5A 双沟道 N MOS MH9926采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。20V/5A 双沟道 N MOS MH9926适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
	20V 5.4A N MOS管 MH2306	20V 5.4A N MOS MH2306采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。ID电流可高达：5.4A
	高性价！20V 2.8A N MOS管 MH2302	高性价！20V 2.8A N MOS管MH2302采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。
	高性价！20V P 沟道MOS 管 MH2301	高性价！20V P 沟道MOS 管MH2301采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备、电子开关等应用。
	低价！20V N-沟道增强型MOS MH2300	低价！20V N-沟道增强型MOS MH2300采用**的加工技术使之具备极低的导通电阻高密度的单元。适合大功率、大电流及锂电设备应用。
	低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管 MH2310X	低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管2310X系列N沟道增强模式场效应晶体管，采用DMOS沟道技术制造具极高的单元密度。采用该技术的MOS管特别适用于*大限度地减少MOS管通态电阻。同时该MOS管也特别适合低电压应用，低功耗及小封装尺寸等要求。

若网站内容侵犯到您的权益，请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除