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英飞凌IGBT模块命名规则
要想搭建一个优良的电力电子系统，正确的功率器件选型首当其冲。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号看不懂，但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字，便能反映比如电压/电流等级、拓扑、封装等等丰富的信息。如果熟悉了命名规则，不用看规格书，就能对器件特性了解个大概。想对英飞凌的IGBT产品有更多的了解：IGBT-绝缘栅双极晶体管-InfineonTechnologies先来看下英
发布时间：2024-06-15 22:02
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。 CoolSiC?MOSFETGeneration2(G2)
发布时间：2024-04-09 20:40
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英飞凌全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输应用的格局。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益，包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆（CAV）。 XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENC
发布时间：2023-12-26 20:57
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英飞凌推出CoolSiC产品组合，实现高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mmIGB
发布时间：2023-11-30 16:30
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英飞凌推出第七代分立式650V H7新品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP?IGBT产品阵容。全新器件配备**的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用*新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此
发布时间：2023-10-11 21:20
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英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合模块
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200VTRENCHSTOP?IGBT7芯片的62mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的*大电流规格高达800A，扩展了英飞凌采用成熟的62mm封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供*大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优良的电气性能。新型模块专为满足集中式太阳能逆变器
发布时间：2023-08-08 21:20
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发布时间：2023-02-16 10:56
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英飞凌第7代IGBT7
英飞凌第7代IGBT7 亮点开发出的芯片由IGBT7和EC（发射极-控制）7二极管组成，能*好地满足变频通用驱动（GPD）的所有需求。具有优良的控制能力，在所有与应用有关的电流等级下具有足够的软度，静态损耗大幅降低，且抗短路能力强。结合EconoDUAL?3 封装的改进和适应攻击电机驱动英
发布时间：2022-12-15 11:24
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新洁能功率半导体命名规则介绍
新洁能致力于推广性能**、质量稳定并且**价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供**的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳的电源管理及电能转换。通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布
发布时间：2022-12-14 18:09
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英飞凌推出专为牵引驱动而优化的全新IHM/IHV B功率模块——*大运行温度达+150°C，功耗大幅度削减，具备高功率循环能力
英飞凌科技公司IHM/IHVB系列的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块。运用这个全新的模块，用户可设计出能够在严酷的环境下正常工作，**满足大负荷与温度循环要求的高效功率变频器，如机车、列车和电车的牵引驱动装置等。全新模块扩展了英飞凌上一代IHM-A模块的功能和规格，实现了热阻性能的改善和负荷循环能力的提高，并将运行温度提高至+150°C。与同等尺寸的传统变频器相比，基于这种全新高功率模块设计的变频
发布时间：2022-09-09 21:30
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英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
全球逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说，整个社会向绿色出行方式转型，就需要减少短途航班及驾车出行，而这势必会促进轨道交通的发展。政府发布的减碳措施也印证了这一点：例如欧洲计划提供高达数十亿欧元的补贴来支持轨道交通的发展。随着传统的内燃机车、轨道车逐步被环保的电力机车所取代，交通运输行业的变革也即将来临。 为了满足绿色出行的要求，业界必须以提高能源效率为主要目
发布时间：2022-03-09 20:55
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英飞凌推出专为工业设备和风车而优化的功率模块
英飞凌科技股份公司推出全新1200伏和1700伏电压级功率模块PrimePACKTM，其重量比同等功率的模块低45%。英飞凌是目前**一家能够生产如此紧凑高效的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的半导体厂商。该公司在PCIM2007展会暨研讨会上推出的这种紧凑型IGBT模块系列，可优化功率转换系统，广泛适用于各种工业传动装置、风车、电梯、牵引机或辅助传动装置、火车与牵引车的电源和加热系统等。Prim
发布时间：2021-12-08 21:40
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Infineon英飞凌模块选型参考
Infineon英飞凌模块型号解读 FZ：一单元模块 FF：两单元模块(半桥模块) FP：七单元模块(功率集成模块) FD/DF：斩波模块 F4：四单元模块 FS：六单元模块 DD：二极管模块 400：Tc=80°C时的额定电流
发布时间：2020-06-23 19:04
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SEMIKRON赛米控IGBT模块的命名规则
举例： SKM100GB123DSKSK表示SEMIKRON的IGBT M表示应用技术或者模块结构：M——表示采用MOS技术D——表示七单元模块（即互相整流桥+1CBT斩波器）100表示集电极电流等级，条件Tcase =25℃时的Ic，单位为A
发布时间：2020-03-13 18:36
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英飞凌IGBT模块的检测方法
英飞凌IGBT模块有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对英飞凌IGBT模块场效应管进行判别（1）用测电阻法判别英飞凌IGBT模块结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电
发布时间：2019-06-06 12:23
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