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IGBT逆变焊机基础知识
IGBT逆变焊机基础知识一、关于逆变焊机1、什么叫逆变焊机采用逆变技术的弧焊电源称为逆变焊机。逆变过程需要大功率电子开关器件，采用IGBT作为开关器件的逆变焊机称为IGBT逆变焊机。
发布时间：2019-01-01 14:37
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IGBT和替换品碳化硅到底是什么？
一直以来，很多人都认为新能源汽车的关键是电池，甚至“三电”之中，电池始终排在**位，但事实上，新能源汽车，尤其是中国新能源汽车发展*有提升空间的，当属驱动电机。2018年12月16日，在中国电动汽车百人会论坛媒体吹风会上,中国电动汽车百人会执行副理事长欧阳明高院士结合《“十三五”新能源汽车重点专项》年度总结，介绍了有关新能源汽车技术的发展情况，在驱动电机方面，欧阳明高指出：碳化硅将取代IGBT。等
发布时间：2018-12-28 14:28
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教你查电磁炉频繁烧IGBT，桥堆原因。
电磁炉典型故障分析，请持续关注我。我教大家测量方法，和排查范围。技术离不开知识和经验的积累和沉淀。典型故障现象：IGBT，桥堆全烧（炸机），更换IGBT，桥堆，正常开机加热，但几分钟后又烧。这种情况，我相信很多朋友都遇到过，头都大了！
发布时间：2017-06-06 14:08
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二分钟教你学会如何快速检测IGBT
二分钟教你学会如何快速检测IGBT经常有朋友私信问我，在维修电磁炉的时候，如何快速检测IGBT的好与坏。其实了解IGBT原理及内部结构的师傅自然有N种方法检测。这次，就告诉大家一个方法，用万用表快速，准确的检测IGBT。这是一个速成法，建议大家还是要去了解原理。IGBT三脚定义
发布时间：2017-04-18 14:05
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IGBT如何选型 四大步轻松搞定
逆变技术对IGBT的参数要求并不是一成不变的，逆变技术已从硬开关技术，移相软开关技术发展到双零软开关技术，各个技术之间存在相辅相成的纽带关系，同时具有各自的应用电路要求特点，因而，对开关器件的IGBT的要求各不相同。而IGBT正确选择与使用尤为重要。图：逆变器中IGBT模块伴随科学技术的发展和低碳经济的要求，逆变器在各行各业中应用飞速发展，而IGBT是目前逆变器中使用的主流开关器件，也在逆变结构中
发布时间：2017-01-06 09:24
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IGBT模块的检测方法
导读： IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。一、用指针式万用表对场效应管进行判别
发布时间：2016-04-09 10:35
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富士第7代“X 系列”IGBT模块样品出货的通知
富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司自8月起开始出货功率半导体的新产品--第7代“X系列”IGBT※1模块的样品，特发通知。※1：InsulatedGateBipolarTransistor（绝缘栅双极型晶体管）1．背景 IGBT模块是一种能实现节能和稳定供电的核心器件，被广泛应用于各种工业设备如电机驱动用变频器、不间断电源装置（UPS）、风能和太阳能发电设备用功率调节器等。预计市场规模将于
发布时间：2015-10-13 16:20
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三菱开始提供配置第7代硅片的 “T系列IGBT模块” 样品
导读： 三菱电机株式会社计划从6月30日开始陆续提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品，共有3种封装48个品种，适用于各种用途的工业设备。这些产品能够满足通用变频器、电梯、不间断电源（UPS）等工业设备低功耗和高可靠性的需求。三菱电机株式会社计划从6月30日开始陆续提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品，共有3种封装48个品种，适用于各种用途的工业设备。这些产品能够满足通用变频器、
发布时间：2015-09-30 11:03
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CONCEPT IGBT驱动
SCALE-2芯片组的特征全定制专用集成电路(ASIC), 高电压数模信号混合,C-MOS技术CompatibleSCALECoresandSCALE-Plug-and-Playdrivers延迟时间80ns±4ns, 抖动量±1ns
发布时间：2015-08-25 10:00
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NewSCALE2驱动板
NewSCALE-2即插即用驱动板采用SCALE-2即插即用驱动板可轻便快速地实现高可靠性及高性价比的系统。所有的即插即用SCALE-2驱动器支持直接并联。通过简单的并联IGBT模块及驱动板即可系统扩容。受益于广泛得知的CONCEPT公司超过20年的驱动设计经验。可从下面的列表里为使用的IGBT选择合适的驱动器，可以使IGBT模块发挥充分的作用并得到可靠的保护。
发布时间：2015-08-25 09:56
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IGBT保管、使用、选择时的技巧
IGBT保管、使用、选择时的技巧 对于选择和安装过程中应该注意的方面，对IGBT的特性注意事项进行了研讨。IGBT模块简介 相信大家都知道IGBT是绝缘栅双极型晶体管缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSF
发布时间：2014-05-09 13:24
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富士分立器件型号废止（停止生产）指南
分立器件型号废止（停止生产）指南此处登载分立器件型号废止（停止生产）指南停产对象产品双极型晶体管请参照下述对象型号列表。
发布时间：2014-03-13 17:40
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富士停产信息： IGBT模块：S系列、P系列型号废止指南
停产信息IGBT模块：S系列、P系列型号废止指南此处登载停产信息IGBT模块：S系列、P系列型号废止（停止生产）指南停产对象产品IGBT模块：S系列、P系列R-IPM的一部分（小容量额定产品）请参照下述对象型号列表。
发布时间：2014-03-12 17:35
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SiC器件与Si器件性能比较
SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的优势体现在哪些方面？电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。SiC是什么？碳化硅（SiC）是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、
发布时间：2013-07-01 13:00
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何谓功率半导体？
何谓功率半导体？“半导体”，顾名思义是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够将交流电转为直流电——“整流”、增大电信号——“增幅”、导通或者阻断电——“开关”等。功率半导体是能够支持高电压、大电流的半导体。具有不同于一般半导体的结构，在使用高电压、大电流时也不会损坏。另外，由于使用大功率容易发热产生高温，因而成为故障发生的原因。因此，我们正努力减少功率半导体本身因发
发布时间：2013-06-10 12:32
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