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SEMIKRON IGBT模块SEMITRANS命名方法
日期:2025-03-16 18:36
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摘要:
SEMIKRON IGBT模块SEMITRANS命名方法:
SK M 200 G B 12 3 D L
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑧
① SEMIKRON元件
② M:MOS技术
D:七单元模块(三相整流桥加IGBT斩波器)
③ 集电极电流等级(Tcase=25℃时的Ic/A)
④ IGBT开关
⑤ 线路
A: 单只开关
AL: 斩波器模块(IGBT加集电极端续流二极管)
AR: 斩波器模块(IGBT加发射极端续流二极管)
AH: 非对称H桥
AX: 单只IGBT加集电极端串联二极管...
SEMIKRON IGBT模块SEMITRANS命名方法:
SK M 200 G B 12 3 D L
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑧
① SEMIKRON元件
② M:MOS技术
D:七单元模块(三相整流桥加IGBT斩波器)
③ 集电极电流等级(Tcase=25℃时的Ic/A)
④ IGBT开关
⑤ 线路
A: 单只开关
AL: 斩波器模块(IGBT加集电极端续流二极管)
AR: 斩波器模块(IGBT加发射极端续流二极管)
AH: 非对称H桥
AX: 单只IGBT加集电极端串联二极管(反向阻断)
AY: 单只IGBT加发射极端串联二极管(反向阻断)
B: 两单元模块(半桥)
BD: 两单元模块(半桥)加串联二极管(反向阻断)
D: 六单元(三相桥)
DL: 七单元(三相桥加AL斩波器)
H: 单相全桥
M: 两只IGBT在集电极端相连
⑥ 集电极发射极电压等级(Vce/V/100)
⑦ IGBT系列号
0: **代产品(1988-1991,集电极额定电流为Tcase=80℃时值)
1、2:**代产品(1992-1996,集电极额定电流为Tcase=25℃时值);
600V产品:集电极额定电流为Tcase=80℃时值
3: **代产品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);
1700V为**代NPT型IGBT.CAL二极管.
600V产品:集电极额定电流为Tcase=80℃时值.
1200V与1700V产品:集电极额定电流为Tcase=25℃时值
4: 高密度、低饱和压降NPT型IGBT(1200V、1700V)
5: 高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)
6: 沟道式NPT型IGBT
⑧ 特点
D: 快回复二极管
K: SEMIKRON五号外壳带螺栓端子
L: 六单元外壳带焊接端子
S: 集电极检测端子
I: 加强的反向二极管(高功率输出)