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解析单向可控硅的结构控制

解析单向可控硅的结构控制
单向可控硅为具有三个PN结的四层结构，由*外层的P层、N层引出两个电极――阳极A和阴极K，由中间的P层引出控制极G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极――控制极或触发极G。SCR或MCR为英文缩写名称。
　　从控制原理上可等效为一只PNP三极管和一只NPN三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从G、K回路输入NPN管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。控制信号UGK的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。
　　单向可控硅的导通需要两个条件：
　　1）、A、K之间加正向电压；
　　2）、G、K之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。
　　若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：
　　1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值；
　　2）、使A、K之间电压反向。

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