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IGBT模块简单介绍？

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),绝缘栅双极型晶体管,是由是(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合控制电压驱动类型的功率半导体器件,具有高输入阻抗的MOSFET和GTR低导电两者优点的压降。GTR饱和压降低,电流密度,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率小,开关速度快,但导电压降、流量密度小。
以优势的上述两种器件IGBT、驱动功率小、低饱和电压。
IGBT是非常适合应用在直流电压是600 v以上变量流系统,如交流电机、变频器、开关电源、照明、牵引驱动电路等。为N沟道增强型绝缘栅双极型晶体管结构,N区域称为源区域,电极连接到它被称为源。N区域称为泄漏区域。
设备控制区域门区域,附加在它被称为栅极。通道边界地层在接近门区域。在泄漏源的P型地区(包括P,P区)在该地区(频道),称为通道区域(子通道区域)。泄漏面积另一边的P区称为漏进区(排水喷射器攻),它是一种特殊的函数IGBT,连同泄漏区域和通道区形成了PNP型双极型晶体管,发射器,注入孔排出,导电调制,以减少通态电压的装置。附加到泄漏的区域称为排水电极。
开关函数的IGBT是由添加积极的栅极电压通道,提供PNP晶体管基极电流,使IGBT开机。相反,反向门电压,消除通道,切断基极电流,使IGBT断开。
方法和场效应晶体管IGBT驱动程序基本相同,需要控制输入极N沟道MOSFET,因此具有高输入阻抗特性。
场效电晶体通道形成后,从P基成N层的孔(ShaoZi),N层电导率灯,减少N层阻力,使IGBT在高电压,也有国家的低电压。

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