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三菱IGBT特点用途
三菱IGBT：
a)采用*新的CSTBT硅片技术； 
b)低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）； 
c)降低栅极电容，栅极驱动功率接**板型IGBT； 
d)采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻； 
e)比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。 
三菱IGBT用途: 低成本设计，适合中、低端，大功率场效应原件，用途很光的。
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    本企业坚持以品质立业，以诚信守业，以更坚定的步伐不断攀登新的高峰，欢迎顾客们放心选购，我公司主要产品还有：西门康IGBT、富士IGBT、LAMBDA电源模块等。
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