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	BL8506-20CRM电压检测芯片 BL8506-20CRM	BL8506-20CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-19CRM电压检测芯片 BL8506-19CRM	BL8506-19CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-18CRM电压检测芯片 BL8506-18CRM	BL8506-18CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-14CRM电压检测芯片 BL8506-14CRM	BL8506-14CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-13CRM电压检测芯片 BL8506-13CRM	BL8506-13CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-15CRM电压检测芯片 BL8506-15CRM	BL8506-15CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-12CRM电压检测芯片 BL8506-12CRM	BL8506-12CRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-10NRM电压检测芯片 BL8506-10NRM	BL8506-10NRM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506电压检测芯片 BL8506	BL8506是一系列的精度高电压超低功耗电流仪 (500钠在typ. Vdd = 3.0 V)。它可以工作在非常低电压, 这就使它成为**的系统重置。 BL8506组成的具有较高的计算精度参考电压源对照,输出驱动电阻阵列。内部预设电压检测有一个较低的温度漂移,不需要外部的削减。
	XC61CN7002PR电压检测IC（芯片） XC61CN7002PR	XC61CN7002PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN5002PR电压检测IC（芯片） XC61CN5002PR	XC61CN5002PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN4402PR电压检测IC（芯片） XC61CN4402PR	XC61CN4402PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN4002PR电压检测IC（芯片） XC61CN4002PR	XC61CN4002PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN3902PR电压检测IC（芯片） XC61CN3902PR	XC61CN3902PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN3302PR电压检测IC（芯片） XC61CN3302PR	XC61CN3302PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN3002PR电压检测IC（芯片） XC61CN3002PR	XC61CN3002PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2702PR电压检测IC（芯片） XC61CN2702PR	XC61CN2702PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2502PR电压检测IC（芯片） XC61CN2502PR	XC61CN2502PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2402PR电压检测IC（芯片） XC61CN2402PR	XC61CN2402PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
	XC61CN2302PR电压检测IC（芯片） XC61CN2302PR	XC61CN2302PR电压检测IC（芯片）是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。XC61C温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。XC61C系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。

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