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深圳市美达微电子科技有限公司
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产品简单介绍
HT46RU25/HT46CU25 -- A/D 型八位单片机
HT46RU25/HT46CU25
HT46RU25/HT46CU25 -- A/D 型八位单片机是8位高性能精简指令集单片机,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。 低功耗、I/O使用灵活、可编程分频器、计数器、振荡类型选择、多通道A/D转换、脉冲测量功能、I2C通信、暂停和唤醒功能,使这款单片机可以广泛应用于传感器的A/D转换、马达控制、工业控制、消费类产品等系统中。
HT46R24/HT46C24 -- A/D 型八位单片机
HT46R24/HT46C24
HT46R24/HT46C24 -- A/D 型八位单片机是8位高性能精简指令集单片机,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。 低功耗、I/O使用灵活、可编程分频器、计数器、振荡类型选择、多通道A/D转换、脉冲测量功能、I2C通信、暂停和唤醒功能,使这款单片机可以广泛应用于传感器的A/D转换、马达控制、工业控制、消费类产品等系统中。
HT46R232/HT46C232 -- A/D 型八位单片机
HT46R232/HT46C232
HT46R232/HT46C232 -- A/D 型八位单片机是8位高性能精简指令集单片机,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。 低功耗、I/O使用灵活、可编程分频器、计数器、振荡类型选择、多通道A/D转换、脉冲测量功能、I2C通信、暂停和唤醒功能,使这款单片机可以广泛应用于传感器的A/D转换、马达控制、工业控制、消费类产品等系统中。
HT46R23/HT46C23 -- A/D 型八位单片机
HT46R23/HT46C23
HT46R23/HT46C23 -- A/D 型八位单片机 是8位高性能精简指令集单片机,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。 低功耗、I/O使用灵活、可编程分频器、计数器、振荡类型选择、多通道A/D转换、脉冲测量功能、I2C通信、暂停和唤醒功能,使这款单片机可以广泛应用于传感器的A/D转换、马达控制、工业控制、消费类产品等系统中。
HT46R22/HT46C22 -- A/D 型八位单片机
HT46R22/HT46C22
HT46R22/HT46C22 -- A/D 型八位单片机是8位高性能精简指令集单片机,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。低功耗、I/O使用灵活、可编程分频器、计数器、振荡类型选择、多通道A/D转换、脉冲测量功能、I2C通信、暂停和唤醒功能,使这款单片机可以广泛应用于带传感器的A/D转换、马达控制、工业控制、消费类产品等系统中。
HT46R49 HT46C49
HT46R49 HT46C49
HT46R49 HT46C49经济型A/D单片机是8位高性能精简指令集MCU,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。所有单片机都集成了多通道模数转换器和1或者2通道PWM输出。暂停和唤醒功能、振荡类型选择、可编程分频器等功能,使得实际应用时只需要*少的外部器件。
HT46R48 HT46C48
HT46R48 HT46C48
HT46R48 HT46C48经济型A/D单片机是8位高性能精简指令集MCU,专门为需要A/D转换的产品而设计,例如传感器信号输入。所有单片机都集成了多通道模数转换器和1或者2通道PWM输出。暂停和唤醒功能、振荡类型选择、可编程分频器等功能,使得实际应用时只需要*少的外部器件。
AO3401 AO3401 MOSFET场效应管
A03401 A03401A
AO3401 AO3401 MOSFET场效应管基本参数: FET特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V Id时的Vgs(th)(*大):1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V 在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W 安装类型:表面贴装
AT24C16 EEPROM存储器
AT24C16
AT24C16 EEPROM存储器 生产商:ATMEL 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
AT24C08 EEPROM存储器
AT24C08
AT24C08 EEPROM存储器 生产商:ATMEL 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
AT24C04 EEPROM存储器
AT24C04
AT24C04 EEPROM存储器 生产商:ATMEL 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
AT24C02 EEPROM存储器
AT24C02
AT24C02 EEPROM存储器 生产商:ATMEL 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
K24C64 EEPROM串行存储器
K24C64
K24C64 EEPROM串行存储器 生产商:华虹NEC 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持32 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
K24C32 EEPROM串行存储器
K24C32
K24C32 EEPROM串行存储器 生产商:华虹NEC 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持32 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
K24C16 EEPROM串行存储器
K24C16
K24C16 EEPROM串行存储器 生产商:华虹NEC 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
K24C08 EEPROM串行存储器
K24C08
K24C08 EEPROM串行存储器 生产商:华虹NEC 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
K24C04 EEPROM串行存储器
K24C04
K24C04 EEPROM串行存储器 生产商:华虹NEC 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
K24C02 EEPROM串行存储器
K24C02
K24C02 EEPROM串行存储器 生产商:华虹NEC 工作电压:Vcc=1.8V-5.5V 工作温度范围:-40℃—+85℃ 1MHz(5V),400KHz(1.8V,2.5V,2.7V)兼容 支持16 byte 页写模式 支持分区页写 写周期内部定时:*大5mS 高可靠性: 写次数:100万次 符合ROHS要求的PDIP8、SOP8、TSSOP8封装
BL8506-70NSM电压检测芯片
BL8506-70NSM
BL8506-70NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出���式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-50NSM电压检测芯片
BL8506-50NSM
BL8506-50NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
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