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MOS管与三极管的各自应用特点

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称MOS管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压操控型半导体器件。具有传入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、**工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　MOS管与三极管的各自应用特点
　　1.MOS管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
　　2.MOS管是电压操控电流器件，由vGS操控iD,其扩大系数gm一般较小，因此MOS管的扩大能力较差；三极管是电流操控电流器件，由iB（或iE）操控iC.
　　MOS管
　　3.MOS管栅极几乎不取电流（ig »0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此MOS管的栅极传入电阻比三极管的传入电阻高。
　　4.MOS管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而MOS管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用MOS管。
　　5.MOS管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。
　　6.MOS管的噪声系数很小，在低噪声扩大电路的传入级及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。
　　7.MOS管和三极管均可组成各种扩大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
　　8.三极管导通电阻大，MOS管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用MOS管做开关来用，他的效率是比较高的。

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