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MOS管参数解释

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，*大电压等，*大电流等因素。
　　MOSFET管是FET的一种，可被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS.
　　在 MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
　　MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
　　MOS管导通特性
　　导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可了。
　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（**驱动）。但是，虽然PMOS可很方便地用作**驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在**驱动中，通常还是使用NMOS.
　　MOS开关管损失
　　不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右
　　MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可减小每次导通时的损失；降低开关频率，可减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可减小开关损失。
　　 MOS管驱动
　　MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可了。但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可看到，在GS,GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时**要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
　　普遍用于**驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而**驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大（4V或10V其他电压，看手册）。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。

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