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MOS管漏源击穿电压BVDS

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

MOS管漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。除了以上产品外，公司同时还供应有三端稳压芯片、稳压管等产品，我们公司具备有*实战的技术,专业的运营团队,为您创造以用户体验为前提的服务，服务的至善至美是我们永无止境的追求。因为以民为本，所以值得信赖；因为专业专职，所以值得选择.以上信息仅供参考，详情请致电相关工作人员为您解答。

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