各种坡莫合金金属磁芯、非晶、微晶磁芯介绍
胡蓓 坡莫合金铁芯和铁氧体铁芯制作高频变压器,滤波 电感,磁放大器,脉冲变压器,脉冲压缩器等应用 在**领域(**)
性能特点: 坡莫合金金属磁芯:各类坡莫合金材料有着各自不同的,较硅钢材 料与铁氧体优异的典型磁性能,有着较高的温度稳 定性和时效稳定性.高初始磁导率类坡莫合金材料 (IJ79,IJ85,IJ86)铁芯常制作电流互感器,小信 号变压器;高矩形度类坡莫合金材料(IJ51)铁芯 常制作磁放大器,双级性脉冲变压器;低剩磁类坡 莫合金材料(IJ67h)铁芯常制作中小功率单极性脉 冲变压器. 非晶磁芯:
⑴铁基非晶铁芯:在几乎所有的非晶合金铁芯中具有*高的饱和磁感
应强度(1.45～1.56T),同时具有高导磁率,低矫 顽力,低损耗,低激磁电流和良好的温度稳定性和 时效稳定性.主要用于替代硅钢片,作为各种形 式,不同功率的工频配电变压器,中频变压器,工 作频率从50Hz到10KHz;作为大功率开关电源电抗 器铁芯,使用频率可达50KHz.
⑵铁镍基非晶铁芯:中等偏低的饱和磁感应强度(0.75T),高导磁率,
低矫顽力,耐磨耐蚀,稳定性好.常用于取代坡 莫合金铁芯作为漏电开关中的零序电流互感器铁 芯.
⑶钴基非晶铁芯:在所有的非晶合金铁芯中具有*高的磁导率,同时
具有中等偏低的饱和磁感应强度(0.65T),低矫顽 力,低损耗,优异的耐磨性和耐蚀性,良好的温度 稳定性和时效稳定性,耐冲击振动.主要用于取代 坡莫合金铁芯和铁氧体铁芯制作高频变压器,滤波 电感,磁放大器,脉冲变压器,脉冲压缩器等应用 在**领域(**)
微晶磁芯:
较高的饱和磁感应强度(1.1～1.2T),高导磁率,低矫顽力,低损耗及良的稳定性,耐磨性,耐蚀性,同时具有较低的价格,在所有的金属软磁材料芯中具有*佳的性价比,用于制作微晶铁芯的材料被誉为"绿色材料".泛应用于取代硅钢,坡莫合金及铁氧体,作为各种形式的高频(20KHz100KHz)开关电源中的大中小功率的主变压器,控制变压器,波电感,储能电感,电抗器,磁放大器和饱和电抗器铁芯,EMC滤波器共电感和差模电感铁芯,IDSN微型隔离变压器铁芯;也广泛应用于各种类同精度的互感器铁芯.
环型规格范围:
磁芯*大外径:750mm
磁芯*小内径:6mm
磁芯*小片宽:5mm
磁芯*大片宽:40mm (可叠加得到更宽)
其他规格可以根据客户需求订做
参考说明:
坡莫合金金属磁芯,非晶,微晶磁芯电磁性能状态:
横磁热处理,低Br,有一定的恒导特性,适用于小功率单极性脉冲变压器,单端开关电源变压器,滤波电感,电抗器;
常规热处理,低Pc,极低的激磁电流;适用于中频变压器;
纵磁热处理,高Br,适用于配电变压器,中频变压器,双端开关电源变压器,大功率双极性脉冲变压器,饱和电抗器及脉冲压缩器. 摘要：结合应用实例,重点介绍了在不同应用场合选用非晶与超微晶材料的种类及其特点，并与其它磁性材料作了对比。关键词：铁基非晶材料；铁基超微晶材料；磁导率；矫顽力；损耗
非晶与超微晶材料的应用
磁材料120×60×40磁芯。按照
E=4．44f×Bm×N×Sc×10－4（1）
式中：Bm——工作磁感应强度，一般选在Bs/2处较
合适，既Bm选0．8T；
E——交流输入电压，V；
N——初级匝数；
f——交流输入电压频率，Hz；
Sc——磁芯有效截面积，cm2。
又因为 Sc=（1／2）×D×（R－r）×h（2）
式中：D——磁芯的占空系数，一般取0.65；
R——磁芯的外环直径，cm；
r——磁芯的内环直径，cm；
h——磁芯的高度，cm。
所以Sc=(1／2)×D×（R－r）×h =(1／2)×0．65×（12－6）×4 =7．8cm2
由式（1）可得:N== =198匝 考虑铜损，N选200匝。
2）验证
为了验证N=200匝时，磁导率μe是否在磁芯材料参数的范围之内，可利用式（3）N=104×（3）
式中：L——初级电感量，H；
lc——磁芯的平均磁路长度，cm。
因为 lc=1.57×(D＋d)=1.57×(12＋6)=28.26cm
L的计算如下:
在未绕成变压器之前,初级电感量是不能测出的,但可以由式（4）推算出。=（4）
即可以先绕N1=10匝,测得L1=13mH，于是N=200匝时可得到L=L1×=13×=5.2H
由式（3）可得μe=×108=×108 =4×104
μe满足μi=8×104的要求。说明变压器初级匝数设计合理。
次级匝数可由电压与匝数的变比求出，这里不再累述。
经过实验，这一理论计算可以带起1kW负载，工作稳定可靠。
3）设计时注意点
①Bm不能选的过高由于磁芯参数的分散性，使得在相同匝数下的电感量有差异,而且相差较多,若Bm取得太高,容易使磁芯饱和。 ②怎样判断磁芯已进入饱和?
——在浅饱和状态下，增加初级电压,次级电压不增加,增加的能量全部被磁芯损耗掉；负载加重后,输出电压迅速下跌,负载能力下降，能量被磁芯损耗。
——在深饱和状态下，初级电压加不到220V磁芯就很烫,而且初级电压再升高,次级电压也不变,能量全部被磁芯损耗。
3开关电源用磁芯
3．1单端式变换器用磁芯
单端式变换器主要要求磁芯剩余磁感应强度低，即Br/Bs较小。
采用铁基超微晶低剩磁(Br/Bs≤0.2)材料的磁芯，饱和磁感应强度Bm=1.2T，剩磁Br<0.2T,初始磁导率μi>2×104，*大磁导率μm=5×104，损耗P0.35（10kHz）<18W/kg。
这是因为单端式变换器磁芯工作在磁滞回线的**象限,对材料的要**具有大的ΔB(ΔB=Bm－Br)，铁基超微晶材料的饱和磁感应强度Bm=1.2T,它无论经过怎样的磁场处理,都是不会变的,所以要使ΔB增大,只有采用低Br的磁芯。特别对于单端反激主变压器,要求有足够的饱和磁感应强度Bm和合适的磁导率。因为单端反激电路中的主变压器要求储能,线圈储能的多少取决于两个因素:一是材料的工作磁感应强度Be或电感量L；另一个是工作磁场Hm或工作电流I。储能W=LI2,在一定的电流下,磁芯不能饱和。饱和磁感应强度Bm由材料决定,低Br的磁芯利于恒磁导,使磁芯在一定的电流下不饱和。
3．2全桥、半桥、推挽式变换器用磁芯
对于这种双端式变换器主要要求磁芯的饱和磁感应强度Bm高。
虽然铁基非晶材料的饱和磁感应强度Bm高，但是由于铁基非晶材料的工作频率较低（<15kHz），频率高时，损耗增加，所以对于几百kHz以上的逆变电源是不适用的。而采用铁基超微晶中剩磁(Br/Bs≤0.6)材料的磁芯。饱和磁感应强度Bm=1.2T,初始磁导率μi>8×104，*大磁导率μm=45×104。损耗P0.3/(100kHz)<300W/kg，工作频率高。
因为全桥、半桥、推挽式变换器中的变压器工作在双端,对Br的要求不是很严格,它需要的是2Bm。但若选用高Br的磁芯,当电源功率较大时，容易产生饱和现象。为此，对于中、大功率的开关电源，可采用中Br磁芯，这样还可使变压器有一定的电感量。特别对于谐振电源，一定的变压器电感可充当谐振电感，使全桥、半桥、推挽式电路产生谐振，达到ZVS或ZCS软开关的作用。
但对于有的大功率的开关电源,为防止偏磁,也采用低剩磁(低Br)磁芯。
3扼流圈用磁芯
扼流圈用磁芯要求有一定的储能，所以要采用低剩磁，横磁导率的材料。
采用铁基非晶低剩磁(低Br)材料磁芯，饱和磁感应强度Bm=1.5T,剩磁Br<0.1T,恒磁导率250～1200。
扼流圈是阻止交流成份,只让直流通过的电感元件，所以直流电流和交流电流加在磁芯上时的磁特性,即直流偏磁特性是很重要的。具体地说，电感值应使得直流电流不易让磁芯饱和,而对于交流成分确是足够大的。为此作为材料特性,需要高饱和磁通密度Bm，磁导率恒定。
下面就几种材料的特性做一下对比，详见表1。
表1几种材料的特性对比材料饱和磁感应强度/T磁导率损耗/W/kg
铁基非晶扼流圈1.5250～1200P0.05(2kHz)<1.5
坡莫合金0.75根据形状和加气隙的不同而不同P0.5(2kHz)<25
硅钢片2P1.0(1kHz)<20
铁氧体0.4P1.0(1kHz)<7.5
非晶扼流圈与坡莫合金、硅钢片、铁氧体相比可以提高工作频率、增强耐直流电流的能力、高温时仍保持高饱和磁通密度、降低功耗等优点。
4非晶饱和磁芯
饱和磁芯主要是把磁芯当作一个“磁开关”，当磁芯不饱和时，电感很大，相当于磁开关断开；当磁芯完全饱和时，电感很小，相当于磁开关短路。
采用钴基非晶合金磁芯，它具有高磁导率,低矫顽力,高矩比(Bs/Br),低损耗等特点。饱和磁感应强度Bm=0.5～0.8T,矫顽力HC<2A/m。
1）自饱和电抗器
自饱和电抗器是希望磁芯做一个反应很快的开关,有一点电流就使磁芯很快饱和。所以应采用高剩磁(高Br)材料,初始磁导率μi>5×104,*大磁导率μm>25×104,损耗P0.5(20kHz)<35W/kg。主要用于消除开关电源的二次寄生振荡、消除尖峰等。
2）可饱和电抗器
可饱和电抗器是利用了磁芯未饱和与饱和后磁导率间的巨大差异来延迟电流以得到一段预置时间。这时可以将脉冲变压器传输过来的脉冲进行压缩,根据电流的大小来调节脉宽,从而可改变输出电压。利用可饱和电抗器的这一特点,就可以实现多路调节。因为采用一般的脉宽调节的开关电源只能对一组输出进行脉宽调节,改变输出电压，而不能做到几路输出电压都可调,利用可饱和电抗器,通过用电位器控制各输出电路的电流来改变各电路的脉宽,从而实现多路调节。现在国外已做出了通过电位器使十几路输出都可调节的电路。
所以可饱和电抗器应根据电流的大小和输出脉宽压缩情况来选择磁芯。例如需要大电流下还有一定脉冲压缩的，应使用低剩磁(低Br)磁芯.总之要具体问题具体分析。
参考文献
[1]张占松，蔡宣三.开关电源的原理与设计[M].电子工业
出版社，1998.
[2]非晶态合金.北京国家非晶中心，内部资料.
[3]廖湘恩.磁放大器原理[M].国防工业出版社，1980.
作者简介
胡蓓（1971－），女，大学本科，工程师。主要从事雷达发射机电源的研制和开发。