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igbt工作原理
动态特性

　　动态特性又称开关特性，igbt的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。

　　igbt的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。igbt处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为igbt总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：：

　　Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

　　式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。

　　通态电流Ids 可用下式表示：

　　Ids=(1+Bpnp)Imos

　　式中Imos ——流过MOSFET 的电流。

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