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西门康IGBT模块的工作原理十分复杂，下面逐一详细说明。

需要了解IGBT的结构。西门康IGBT模块由P型衬底、N型堆积层、N型区域和P型区域组成。它的结构与晶体管相似，但又不同。IGBT有三个电极，即集电极（C）、栅极（G）和发射极（E）。其中，集电极与发射极是PN接触，格栅极与N型区通过绝缘层隔开，形成MOS结构。

在正常工作状态下，当集电极与发射极之间施加正向电压时，形成导通道，电流可以通过集电极流动。同时，当栅极施加正向电压时，栅极与N型区之间的电场可以改变PN结的电阻，从而改变漏电流。这就是IGBT的导通状态。

当栅极施加负电压时，栅极与N型区之间的电场会增强PN结的电阻，防止电流流动。这就是IGBT的截止日期。

通过控制栅极电压和电流，可以实现IGBT的导通和截止状态。通过改变栅极电压，IGBT可以在适当的时候打开或关闭。

IGBT的工作除了栅极电压外，还受到集电极和发射极之间的正电压的影响。在实际应用中，电压的变化会导致功率损耗和能耗的变化，因此有必要合理控制IGBT的电压。

IGBT模块在实际使用过程中需要合理的散热措施，以确保其工作温度在正常范围内。温度过高会导致性能不稳定甚至损坏。

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