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igbt功率模块发展前景如何

现阶段igbt模块原材料是硅半导体，已使用二十余载，，抗压为6500伏，电流为3600安，不能完成很大突破。因此，行业内公认igbt模块技术现阶段已接近封顶。

但，对半导体行业，需求并不是根本，技术升级才能是掌握投资机会的主轴，一旦技术出现迭代，需求将不会出现线性增长的状态。现阶段，igbt模块在新能源车行业，就遭受了这个挑战。业内人士广泛认为，硅基igbt模块逼近原材料特性，技术升级势在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半导体在一定行业和行业，包含电动汽车，会完成对硅半导体的很大更换。

SiC和GaN是第3代半导体材质，与半导体材质相比较，第3代半导体材质具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适用于制做高温、高频、抗辐射及大功率器件，一般又被称作宽禁带半导体材质。

但，限制SiC用处的因素是成本费太高，产品参数也并不稳定。目前SiC芯片成本费是igbt模块的4-5倍，但业界预计SiC成本费三年内能够降低到2倍左右。所以，业内也有声音觉得，未来随之第3代半导体的成本费快速降低，igbt模块就可能会进一步被3代半导体取代。

实际上，目前已经有厂家開始这么做了。2018年，特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块代替了igbt模块，比照硅基的igbt模块续航能够提升 5~10%，这也被觉得是第3代半导体首先開始取代igbt模块的苗头。

国金证券研报讲解，未来igbt模块将向更低的开关损耗、更高的电流密度和更高的工作温度发展，随之数万伏高压、高过500℃的高温、高频、大功率等要求的提出，硅基igbt模块的性能已经接近材质性能極限，所以碳化硅（SiC）基igbt模块将站上历史舞台。

短期来讲，受限于成本费问题，未来3-5年igbt模块重要的应用。但未来随之SiC成本费的降低，稳定性逐步提升，达到高量产，那个时候，igbt模块的未来是不是会岌岌可危？

无论何时何地，只有把握核心技术方能占领行业话语权！与其他国产半导体相同，做为国产新能源汽车核心的igbt模块同样面临着被国外控制的命运，在现实面前，只有快速达到国产替代，这样，在面对未来时，我们才有更足的底气和更大的赢面。

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