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三菱igbt模块采用新的CSTBTTM硅片技术:低饱和压降Vce(sat), 低开关损耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。

ΔT(j-f)性能优于欧洲的同类沟槽型IGBT模块

采用欧式热阻定义Rth(j-c)和Rth(c-f)，通过采用氮化铝AlN绝缘层实现优良的热阻特性

成本优化的封装，低阻抗封装(A系列1单元除外)

饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小

比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%

内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，通过调整底板与氮化铝绝缘层之间的焊接层厚度来改善温度循环能力Δ Tc (焊接层疲劳)，热阻小

模块内部寄生电感小，减小栅极电容:栅极驱动功率近似于平面型IGBTs

功率循环能力显著改善，采用新的导线焊接工艺大大提高功率循环能力ΔTj (导线连接疲劳)。

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