规则1. 为了导通闸流管(或双向可控硅)，必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的*低温度考虑。
规则2. 要断开(切换)闸流管(或双向可控硅)，负载电流必须间，使能回复至截止状态。在可能的*高运行温度下必须满足上述条件。
规则3. 设计双向 可控硅 触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限(WT2-，+)。
规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至*低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅。
规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅。
规则6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt;
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。
规则7. 选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以*大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。
规则8. 若双向 可控硅 的dIT/dt 有可能被超出，负载上*好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
规则9. 器件固定到散热器时，避免让双向 可控硅 受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
规则10. 为了长期可靠工作，应保证Rth j-a 足够低，维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的*高环境温度。
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