富士IGBT可控硅 EMGE31-08S

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产品型号：EMGE31-08S

品牌：日本富士FUJI

公司名称：北京万丰兴业科技有限公司

所在地：北京朝阳

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产品简介

富士IGBT可控硅EMGE31-08S
供应英飞凌IGBT,可控硅,整流桥,二极管等全系列产品,型号如下:infineon模块/英飞凌IGBT/英飞凌二极管/英飞凌可控硅/英飞凌整流桥

产品详细信息

富士IGBT可控硅

型号	技术指标
EMGG31-08S	31A/800V/2U全控双向
EMGH31-08S
EMGE31-08S

型号	技术指标
EMTG07-04	50A/400V/6U可控硅
EMTF07-04	25A/400V/6U可控硅

型号技术指标
3R3TI20E-080 20A/800V三相半控桥
3R3TI30E-080 30A/800V三相半控桥
3R3TI60E-080 60A/800V三相半控桥
4R3TI20Y-080 三相半控桥带续流二极管
4R3TI30Y-080 三相半控桥带续流二极管
4R3TI60Y-080 三相半控桥带续流二极管
6RI30FE-080 30A/800V/6U
6RI30E-080 30A/800V/6U
6RI50E-080 50A/800V/6U
6RI75E-080 75A/800V/6U
6RI100E-080 100A/800V/6U
6RI150E-080 150A/800V/6U
6R1TI30Y-080 30A/800V三相全桥+可控
6RI30G-120（160） 30A/1200V（1600V）/6U
6RI40G-160 40A/1600V/6U

型号技术指标
6RI50P-160
6RI75P-160
6RI75G-120 75A/1200V/6U
6RI75G-120
6RI75G-160 75A/1600V/6U
6RI75G-160
6RI100P-160
6RI100G-120 100A/1200V/6U
6RI100G-120
6RI100G-160 100A/1600V/6U
6RI100G-160
6R1MBI50P-160
6R1MIB75P-160-02
6R1MBI100P-160-02
6R1MBI125P-160-02