快恢复二极管 1200V

生产超快恢复二极管,快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进

我公司生产高压超快恢复二极管
RexST
(超快恢复二极管）
HFDXI-01H  1A  1200V Trr=30ns TO-220
HFDXI-03H  3A  1200V Trr=30ns TO-220
HFDXI-08H  8A  1200V Trr=30ns TO-220
HFDXI-12H  12A 1200V Trr=30ns TO-220
SFDXI-20C  20A 600V Trr=25ns TO-220
SFDXI-30C  30A 600V Trr=25ns TO-220
SFDXI-50C  50A 600V Trr=25ns TO-247
(快恢复二极管)
FDXI-20 20A 600V 恢复时间70ns TO-220
FDXI-50 50A 600V 恢复时间70ns TO-247
FDXI-80 80A 600V 恢复时间70ns TO-247
(整流二极管)
DXI-30 30A 1600V/1200V/800V TO-220封装
DXI-50 50A 1600V/1200V/800V TO-247/TOP3封装
DXI-80 80A 1600V/1200V/800V TO-247/TOP3封装
(单向可控硅):
TYN160C 160A 1600V TO-3封装
TYN100C 100A 1800V/1600VTO-247封装
TYN70C 70A 1800V/1600VTO-247封装
TYN60H 60A 2200V TO-247封装
TYN25C 25A 1600V/1200V TO-220封装
(双向可控硅):
BTA61 1600V/1200V/800V TOP3绝缘封装
BTA51 1600V/1200V/800V TOP3绝缘封装
BTA41 1600V/1200V/800V TOP3绝缘封装
BTA26 1600V TOP3绝缘封装
BTA16 1600V/1200V TO-220
(肖特基二极管)
SBR20C  20A  200V TO-220
SBR30C  30A  200V TO-247
SBR40C  40A  200V TO-247
SBR60C  60A  200V TO-247
SBR100C 100A 200V TO-247
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。