微带TEM小室 HEM-8A

horigol的HEM-8A是一个8GHz的IC带状线TEM小室，可产生电磁场，用于测试IC、无线通信模块等小型设备。通过HEM-8A的输入端口施加的外部测试信号可在单元内产生一致且可预测的TEM测试场。来自在小室中传输的设备的辐射场也可以使用测试接收器通过端口检测。

独特、紧凑、经济的设计经过优化，可用于标准TEM小室频率范围以外的中等精度测量。HEM-8A的工作原理与TEM单元基本相同。测试体积内的E-H场与输入电压成正比，与电池高度成反比。如果将辐射物体插入电池内部，则朝向输入端口的辐射波由传输线引导，并在输入端通过接收器（如频谱分析仪）拾取。利用这种方法，可以定量测量辐射装置的RFI。由于该设备非常宽带，因此在EMI、EMS、接收机灵敏度测试等领域有许多应用。

特征

高达8 GHz带宽（超过1 GHz的正常TEM小室带宽）

可测试高达1 KV的高压，用于现场注入

3.应用

集成电路电磁抗扰度测试

集成电路的电磁辐射测试

IC的ESD/浪涌场敏感性测试

IEC 61967-8:2011集成电路-150 kHz至3 GHz电磁发射的测量-第8部分：辐射发射的测量-IC带状线法

IEC 61967-2集成电路-150 kHz至1 GHz电磁发射的测量-第2部分：辐射发射的测量-TEM小室和宽带TEM小室法

IEC 62132-8集成电路-电磁抗扰度的测量-第8部分：辐射抗扰度测量-IC带状线法

SAE 1752-3集成电路辐射发射的测量-TEM/宽带TEM（GTEM）小室法；TEM小室（150 kHz至1 GHz）、宽带TEM小室

4.规格

规格参数

频率范围：直流至8 GHz（不期望的高阶模式的峰值>6 GHz）

TEM小室阻抗50Ω±5%标称值

驻波比DC-3 GHz<1.2 3–8 GHz<1.5

插入损耗（S21）DC–8 GHz<1 dB

回波损耗（S11和S22）DC-3 GHz＞20 dB 3-8 GHz＞14 dB

有效隔板至墙壁高度8.0 mm

1V时电池中心的电场强度为125 V/m（1kV时樶大为125 kV/m）

单元中心的H场强度=E场强度/377（A/m）

射频连接器SMA

樶大输入功率70瓦

直流时的樶大输入电压为1 kV