1200V IGBT模块 FF200R12KE4
产品简介
我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块,电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A,欢迎来电洽谈!!1200V IGBT模块
产品详细信息
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。1200V IGBT模块1200V IGBT模块
(IGBT Module)
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF200R12KE4
FF300R12KE4
FF450R12KE4
2MG75B12STD (75A/1200V IGBT Module)
2MG100B12STD (100A/1200V IGBT Module)
2MG150B12STD (150A/1200V IGBT Module)
2MG200B12STD (200A/1200V IGBT Module)
2MG300B12STD (300A/1200V IGBT Module)
2MG400B12STD (400A/1200V IGBT Module)
2MG150N06TCH (150A/600V IGBT Module)
2MG200N06TCH (200A/600V IGBT Module)
2MG300N06TCH (300A/600V IGBT Module)
2MG400N06TCH (400A/600V IGBT Module)
2MG600N06TCH (600A/600V IGBT Module)