IGBT模块 FF450R12KE4

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块IGBT模块IGBT模块IGBT模块IGBT模块IGBT模块

(IGBT Module)
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF200R12KE4
FF300R12KE4
FF450R12KE4

2MG75B12STD  (75A/1200V IGBT Module)
2MG100B12STD (100A/1200V IGBT Module)
2MG150B12STD (150A/1200V IGBT Module)
2MG200B12STD (200A/1200V IGBT Module)
2MG300B12STD (300A/1200V IGBT Module)
2MG400B12STD (400A/1200V IGBT Module)

2MG150N06TCH (150A/600V IGBT Module)
2MG200N06TCH (200A/600V IGBT Module)
2MG300N06TCH (300A/600V IGBT Module)
2MG400N06TCH (400A/600V IGBT Module)
2MG600N06TCH (600A/600V IGBT Module)