FF200R12KE4 FF200R12KE4
产品简介
IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 FF200R12KE4
产品详细信息
现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。
(IGBT Module)
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF200R12KE4
FF300R12KE4
FF450R12KE4
2MG75B12STD (75A/1200V IGBT Module)
2MG100B12STD (100A/1200V IGBT Module)
2MG150B12STD (150A/1200V IGBT Module)
2MG200B12STD (200A/1200V IGBT Module)
2MG300B12STD (300A/1200V IGBT Module)
2MG400B12STD (400A/1200V IGBT Module)