BL8506-42NSM电压检测芯片 BL8506-42NSM
产品简介
BL8506-42NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
产品详细信息
上海贝岭BL8506-42NSM电压检测芯片
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概述:
BL8506电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压
范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%,
工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS
和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等
多种。
范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%,
工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS
和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等
多种。
BL8506组成的具有较高的计算精度参考电压源对照,输出驱动
电阻阵列。
电阻阵列。
内部预设电压检测有一个较低的温度漂移,不需要外部的削减。
两种类型的输出,和CMOS N-channel是开漏是可得到的。
特点:
高精度检测电压:•±2%
•检测电压:0.9 V ~ 6.0 V(0.1 V步骤)
•**:4%打字迟滞。
•操作电压范围:0.7 V ~ 10 V
•超低功耗电流情况:500钠。(在VDD = 3.0 V)
两条输出形式:•和CMOS N-channel是开漏
高精度检测电压:•±2%
•检测电压:0.9 V ~ 6.0 V(0.1 V步骤)
•**:4%打字迟滞。
•操作电压范围:0.7 V ~ 10 V
•超低功耗电流情况:500钠。(在VDD = 3.0 V)
两条输出形式:•和CMOS N-channel是开漏
用途:
力量为便携式设备监控•等
PDA、DSC、移动电话、笔记本电脑、MP3
•CPU和逻辑电路被重置
•电池检查
•备用电池电路
•电力失效检测器
BL8506的封装是SOT- 89 -,SOT-23-3,TO-92,SOT23-5。
如下图:
