HSBR-10A HSBR-10A

为了设计效率和外形尺寸**的CCM PFC，升压二极管还必须具备以下一些特性：较短的反向恢复和正向恢复时间；*小的储存电荷Q；低的漏电流和*低的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要，它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。

        由于SiC肖特基二极管中缺少正向和反向恢复电荷，因此可以用更小的升压MOSFET。这样做除了成本得到降低外，器件温度也会降低，从而使SMPS具有更高的可靠性。

        由于SiC肖特基二极管的开关行为独立于正向电流(I_load)、开关速度(di/dt)和温度，因此这种二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现*大的开关工作频率(*高可达1MHz)，从而可以使用更小体积的无源器件。

        *低的开关损耗和低的V_f能使用更小的散热器或风扇。另外，由于具有正的温度系数，SiC肖特基二极管能够非常方便地并行放置。HSBR-10AHSBR-10AHSBR-10AHSBR-10AHSBR-10AHSBR-10A


(1200V碳化硅肖特基二极管)
HSBR-02A   2A/1200V
HSBR-05A   5A/1200V
HSBR-08A   8A/1200V
HSBR-10A   10A/1200V
HSBR-15A   15A/1200V
HSBR-20A   20A/1200V
HSBR-50A   50A/1200V