650V肖特基二极管 C3D04065A

650V肖特基二极管C3D04065A 4 A, 650 V Z-Rec™ Silicon Carbide Schottky Diode, TO-220 package 

Cree 公司日前宣布推出*新Z-Rec650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足*新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。
    
    常规开关电源一般输入电压范围为 90V~264V，可以支持世界各地的各种交流输入电源。现有的数据中心电源架构一般采用本地供电单位提供的三相/480V电源。三相/480V电源经电力变压器降压为三相/208V 电源，并经进一步处理后作为服务器电源的输入电源。由于变压器的损耗，这种做**降低总效率。
    
    近期数据中心电源系统的发展趋势要求取消 480V 到 208V 的降压过程，以提高数据中心的总效率。现在服务器电源有望直接从三相/480V 相电压获得90V~305V更宽泛的通用线电压（277V+10% 的**范围），而不再从三相/208V相电压获得 120V 交流电压。这种架构无需使用降压变压器，也就避免了相关的能耗及成本支出。
    
    要让具有 90V~305V宽泛输入电压范围的服务器电源系统理想运行，就要求像肖特基二极管这样的功率器件具有高至 650V 的*大阻断电压。Cree *新推出的 650V 额定器件为设计人员设计先进的数据中心和通信设备电源系统时提供了理想的解决方案。Cree的新款 Z-Rec 碳化硅二极管不仅提供了这些先进电源系统需要的 650V 阻断电压，而且与硅器件相比还能够消除反向恢复损耗，进一步降低能耗。
    
    Cree 电源与射频部副总裁兼总经理 Cengiz Balkas 解释说：“碳化硅技术对开发新一代先进的高能效数据中心电源系统设计至关重要，因为它基本上消除了二极管的开关损耗。众所周知，开关损耗是导致传统硅器件低能效的主要原因，因此采用碳化硅器件取代硅器件可以将电源的功率因数校正级的效率提升 2 个百分点，从而与单纯的架构修改相比，能够带来更大的总效率提升。”
    
    C3DXX065A 系列是 650V Z-Rec 肖特基二极管系列的首批产品，提供 4A、6 A、8 A 和10 A四种规格，均采用 TO-220-2 封装。所有器件的额定工作温度范围为 -55°C ~ +175°C。
    
    C3DXX065A 系列器件已经通过**认证并正式交付生产。
650V肖特基二极管650V肖特基二极管650V肖特基二极管650V肖特基二极管650V肖特基二极管650V肖特基二极管