IKW25N120H3 IKW25N120H3

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产品型号：IKW25N120H3

品牌：其它品牌

公司名称：常州市杜安进出口有限公司

所在地：江苏常州

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产品简介

IKW25N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT

产品详细信息

搭载反并联二极管的IGBT

英飞凌全新的第三代高速系列

全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了行业开关损耗新标杆，可应用于开关频率超过20kHz的拓扑。

极短的拖尾电流和低关断损耗（比*接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，*高可使能效提高15%。

该系列不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。

特性：
• *低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上的应用具备较高的能效
• 软开关波形带来出色的抗EMI性能
• 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗
• 适用于目标应用的优化二极管具备低二极管损耗和快速恢复时间
• 符合RoHS
• 正集电极-发射极温度系数意味着热损失不是问题和轻松实现并联
• 5微秒的短路额定值

链接：
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TRENCHSTOP™ IGBT：逆导软开关系列

基于IGBT和反并二极管位于单芯片的新技术，新一代IGBT能有效优化解决方案的成本
特性：
• 具备*低的集电极-发射极饱和电压和Vf确保了高效能和高品质要求
• 软电流关断优势
• *低的开关损耗

优势：
• 降低总体系统成本
• *低的功耗
• 低散热要求
• 降低EMI滤波要求
• *佳的性价比

**的产品覆盖：600V、900V、1000V、1200V和1600V。

目标应用：包括电磁炉、电饭煲、变频式微波炉和所有其他软开关应用
链接：
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TRENCHSTOP™ IGBT：600V硬开关应用的逆导驱动

采用英飞凌IGBT逆导（RC）技术和反并联二极管的器件适用于600V硬开关应用，例如逆向风扇、压缩机、洗衣机电机和通用变频器。无论采用IPAK （TO-251）或DPAK （TO-252）封装，在4A、6A、10A和15A电流条件下，TRENCHSTOP™ IGBT都具备成本优势和节约空间特色。

特性：
• 降低消费类电子产品成本
• 极低的集电极-发射极饱和电压和V f 使频率高达20kHz的广泛应用的能效
• 软电流关断
• 采用IPAK（TO-251）或DPAK （TO-252）封装，电流等级为4A、6A、10A和15A

优势：
• 有效节约空间
• 成本优化
• *低的功耗
• 低散热要求
• 降低的EMI滤波要求

链接：
• 下载IGBT 逆导驱动产品简介
• 下载第三代高速产品简介
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