广泛的测量对象
无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数测量。
半导体元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数测量。 其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估。 介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数的损耗角评估。
磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估。
半导体材料：半导体材料的介电常数,导电率和C-V特性。
液晶材料：液晶单元的介电子常数、弹性常数等C-V特性。
多种元件、材料特性测量能力 揭示电感器件的多种特性 TH2828/A**的性能和20Hz-1MHz的测试频宽可以**地分析磁性材料、电感器件的性能。
使用TH10301选件的100mADC的偏置电流可以**测量高频电感器件、通讯变压器，滤波器的小电流叠加性能。使用TH1775电流叠加装置，可使偏置电流达40A以**分析高功率、大电流电感器件。
**的陶瓷电容测量 1kHz和1MHz是陶瓷材料和电容器的主要测试频率。陶瓷电容器具有低损耗值的特征，同时其容量、损耗施加之交流信号会产生明显的变化。 仪器具有宽频测试能力并可提供良好的准确度，六位分辨率和自动电平控制(ALC)功能等，中以满足陶瓷材料和电容器可靠、准确的测试需要。
液晶单元的电容特性测量 电容-电压(C-Vac)特性是评价液晶材料性能的主要方法，常规仪器测量液晶单元的C-Vac特性遇到一个问题是*大测试电压不够。 使用TH10301选件可提供分辨率为1%及*高达20Vms的可编程测试信号电平，使它能在*佳条件下进行液晶材料的电容特性测量。
半导体材料和元件的测量 进行MOS型半导体制造工艺评价时，需要氧化层电容和衬底杂质密度这些参数，这些可从C-Vdc特性的测量结果推导出来。 20HZ-1 MHz的测量频宽及高达40VDC的可编程偏置电压方可方便地完成C-VDC特性的测量。
为了测试晶圆上的半导体器件，需要延伸电缆和探头，仪器的2m/4m延伸电缆选件可将电缆延伸的误差降至*小。 各种二极管、三机管、MOS管的分布电窜也是本仪器的测试内容。
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