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376Altera在OFC 2015展示引人注目的200G和400G OTN解决方案
互联网 (0)Altera公司在OFC 2015上为光传送网展示了两款产品,采用了Arria® 10 FPGA设计实现:Altera SoftSilicon® 400G转发器/复用转发器(TPO516)和Altera SoftSilicon单芯片20通道任意速率映射器 (TPOC226),支持分段和重组(SAR)功能。系统规划人员设计**ODU交叉连接系统来处理基于OTN的传送功能时,该产品帮助他们降低了复杂度。基于Altera的20 nm Arria 10 FPGA——并提供14 nm Stratix® 10 FPGA的移植途径,基于SoftSilicon FPGA的解决方案为光传送设备生产商提供了基于标准的OTN解决方案,速率超越了100 Gigabit/s (B100G)。该产品具有支持全集成IP的FPGA,可以供客户设计使用,帮助设备生产商流畅的完成开发,实现大容量传送。OFC出席人员可以在3月24号至26号展览期间,在第413展位访问Altera,详细了解Altera市场**的OTN解决方案,这一解决方案能够帮助他们在一个器件中实现200G、400G,甚至1Tb吞吐量。Altera的OTN
ams推出用于可穿戴设备的4mm2微型集成电源管理解决方案
互联网 (0)ams(艾迈斯)今日发布一款集成电源管理单元AS3701。该器件具有极小的占位面积,非常适合应用于可穿戴设备及其他空间受限的设备。AS3701是集低静态电流、多路电源输出、节电、电池充电、电池保护和启动功能于一体的芯片级封装(WL-CSP)微型PMIC,尺寸为2mm x 2mm x 0.4mm。使用AS3701,电源系统设计者能够节省电路板空间,并为智能手表、运动腕带、可穿戴医疗设备、掌上GPS、手机等单节锂电池供电的产品提供先进的电源管理功能。AS3701的电源输出包含两个200mA低压差线性稳压器(LDO),一个500mA降压直流-直流转换器,以及两个40mA(*大值)可编程电流阱。同步降压转换器的开关频率高达4M Hz因此只需一个小型感应器和一个10µF输出电容。微型PMIC的集成锂电池充电器能够在涓流、恒流、恒压模式下运作,并提供*大值为500mA的充电电流。电源通路管理功能使设备在电池耗尽的情况下插入充电器时能立刻开启设备,并对电池充电电路和系统供电电路的电源分配进行优化。许多应用可通过主处理器或微控制器的I2C接口来配置AS3701。该器件还包含了多功能I/O接口,可用于在
Littelfuse推出SLVU2.8-8系列2.8V、30A瞬态抑制二极管阵列
互联网 (0)Littelfuse公司日前宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8V、30A瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。 与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气**系数。 它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至*低。SLVU2.8-8系列的典型应用包括保护10/100/1000以太网设备、WAN/LAN设备、开关系统、桌面计算机、服务器、笔记本电脑、模拟输入和基站。瞬态抑制二极管阵列产品线经理Tim Micun表示:“每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管,可为受保护的线路提供低负载电容。这些符合AEC-Q101标准的设备可**地吸收±30kV的反复性ESD震击,并在极低的箝位电压下**地耗散高达30A的电流。”所有SLVU2.8-8系列瞬态抑制二极管阵列都具有以下重要优势:• 比同类市场解决方案高出25%的电源处理能力,并具有更高的电气**系数。• 每条线路的电容仅为2.6pF,比其它解决方案低57%,有
Altera和Eutecus基于FPGA的单芯片解决方案为智慧城市提供智能视觉“之眼”
互联网 (0)Altera公司和战略IP合作伙伴Eutecus宣布提供ReCo-Pro多通道高清晰(HD)视频分析平台,该平台基于Eutecus的MVE™视频和融合分析技术,以及Altera的Cyclone® V SoC和Enpirion® PowerSoC器件。ReCo平台是由Eutecus公司提供的产品,Sensity系统公司选择了它作为在高速光传感网络(LSN)中增加智能视觉处理功能的基础,美国几个大城市地区目前已经安装该网络。Sensity公司的开放、多服务NetSense平台支持工业照明使用方和运营商降低能源成本,同时为智慧城市应用提供**网络服务,例如,环境和气象监视、停车管理、零售分析和增强公共**等。NetSense平台集成了在Altera FPGA中实现的Eutecus智能视频和传感分析功能后,扩展了应用能力,进一步提高了运营意识、效率和**性。Altera公司工业、汽车和广播业务部副总裁Dan McNamara评论说:“Eutecus公司充分发挥基于Cyclone V SoC的ReCo™-Pro平台的处理能力、灵活性和小型化特性,为智慧城市应用开发智能视频分析解决方案。我们的So
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377是德科技推出针对DDR4 x16系统的逻辑分析仪 BGA 内插探头解决方案
互联网 (0)是德科技发布配合逻辑分析仪执行 DDR4 x16 DRAM 设计测试的全新球形栅状阵列(BGA)内插器解决方案。该解决方案能够快速且**地捕获地址、命令和数据信号,以完成设计调试和验证测量。Keysight W4631A BGA 内插器适用于逻辑分析仪,是全球速度*快的内插器解决方案,搭配 Keysight E5849A 探头可以满足高速数据 DDR4 DRAM 设计探测需求。随着产业界高速存储总线和系统**转向数据速率高达 3.2 Gb/s 的DDR4,,工程师在开发和测试用于服务器与嵌入式设备等应用的下一代存储器系统时将面临严峻挑战,而**探测和捕获信号对全新设计调试与验证的重要性正在日益凸显。W4631A 内插器方案通过对DDR4x16调试和验证工作中至关重要的信号的访问解决了探测连接问题。W4631A 探头能够通过 DDR4 96 球转接卡(包含在BGA探测器中)或可选第三方插座直连 DRAM 球,无需预先规划或重新设计即可用于众多现有设计,并且以*小的负载效应支持高速 DDR4 信号运行和实时采集,能够*大限度地降低对嵌入式系统设计信号完整性的影响。此内插器解决方案与 U41
Microchip 推出符合IEEE 802.11ac Wi-Fi标准的全新5 GHz功率放大器模块
互联网 (0)Microchip 推出符合IEEE 802.11ac超高数据速率Wi-Fi®标准的全新SST11CP22 5 GHz功率放大器模块(PAM)。全新PAM在1.8%动态EVM(误差向量幅度)、MCS9 80 MHz带宽调制情况下的线性输出功率为19 dBm。此外,SST11CP22在3% EVM时可为802.11a/n应用提供20 dBm的线性功率,功率*高24 dBm时仍满足802.11a通信的频谱模板要求,且在此输出功率值时其射频谐波输出低于- 45 dBm/MHz,这令系统板更容易达到FCC规定要求。对于Wi-Fi MIMO接入点、路由器和机顶盒系统的设计人员而言,能够同时实现*高数据速率和*大覆盖范围并将电流消耗降至*低是至关重要的。SST11CP22具备低EVM和高线性功率,这令MIMO操作更为便利,且显著扩展了采用超高数据速率传输模式的802.11ac系统的覆盖范围。该模块采用节省空间的20引脚4 mm x 4 mm QFN封装,包含一个输出谐波抑制滤波器,50欧姆阻抗匹配——仅需要4个外部元件。新器件不仅易于使用,并且大大缩小了电路板尺寸。此外,集成的线性功率检测器可实现
恩智浦发布世界首款具有NFC-Commissioning功能的智能家居与照明解决方案
互联网 (0)恩智浦半导体NXP Semiconductors近日宣布推出性能**的低功率、长距离JN5169全新无线微控制器及其相应的智能家居和智能照明解决方案,配备经过认证的ZigBee、LightLink、Home Automation、GreenPower软件协议栈以及市场上首款具有NFC-commissioning(见注释1) 功能的选件,用户只需轻触即可连接系统。JN5169中的片上+10dBm功率放大器可将恩智浦现有智能家居产品的连接范围翻倍。该解决方案能够连接250个节点,可以部署到更广的家庭和工业环境。除了ZigBee 3.0和Thread外,JN5169还提供全新工具链用于软件开发,代码大小可缩减15%,同时具有丰富的调试功能。利用NFC连接进行一键 commissioning可确保设备轻松、**地配对,并且无需无线发送网络详细信息,从而大大降低黑客威胁。为了支持JN5169,恩智浦还将推出三款全新的白色、可调白光和RGB(W)彩色灯具参考设计, 使智能照明解决方案的总构建成本降低25%。该解决方案采用512kB嵌入式闪存,使产品拥有充足的内存进行无线软件升级,因而不再需要昂贵的
Silicon Labs与ARM共同推动低功耗ARM mbed IoT设备平台
互联网 (0)Silicon Labs(芯科科技有限公司)今日宣布与ARM公司合作,共同定义和发布用于ARM® mbed™平台的**个电源管理应用编程接口(API)。为mbed添加电源管理API将为基于标准的解决方案带来更佳的能源效率,进一步优化超低功耗、电池供电型可连接设备。新的API将帮助mbed论坛中的十多万名注册会员能够去优化其具备mbed功能的、基于ARM Cortex®-M架构的设计,从而得到*佳的能源效率和更长的电池使用寿命。除了使开发人员能够管理处理器和外设的状态,mbed电源管理API在设计时还考虑到了真实环境中的低能量应用。在Silicon Labs EFM32® Gecko微控制器(MCU)上,API所展现的一个新特性是能够基于使用中的MCU外设自动决定并实现*佳的休眠模式,这极大的降低了系统级能耗。低能耗优化能够通过在后台运行I/O操作而实现,也可通过在MCU内核处于休眠模式或者处理其他任务期间继续I/O操作而实现。通过*佳休眠模式的自动选择,同时结合低能耗的自主型MCU外设,使得开发人员仅需很少的工作量就能在他们的IoT应用设计中显著降低能耗。以一个常见的IoT设备使用案例
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378CUI推出*高电流数字负载点POL系列产品NDM3Z-90
互联网 (0)CUI Inc推出*高电流数字负载点POL系列产品NDM3Z-90,这些器件专为满足现今*先进的集成电路产品快速增长的功率需求而设计,是一款采用超低侧高垂直和水平封装的非隔离型模块,输出电流为90 A。该产品系列提供基准电平,同时集成了一系列先进的数字特性,包括可编程输出范围、有源电流共享(active current sharing)、电压排序、电压跟踪、同步和相位展开、可编程软启动和停止,以及大量监控功能。NDM3Z-90采用Intersil*新的数字功率控制器ZL8801并利用其ChargeMode™控制技术,因而无需补偿,允许模块连续地在动态性能和系统稳定之间保持自主平衡。通过这项特性,设计人员毋须再为适应组件老化、制造变化以及温度等因素而构建余量,从而避免了这种传统做法必定会带来的较高组件成本和较长设计周期。NDM3Z的零补偿特性可让该模块采用动态方式,随条件变化而实时设定*佳的稳定性。90 A系列产品具有**的效率和瞬态响应,在12 Vdc输入、1.0 Vdc输出和50% 负载下的峰值效率为91.4%,在满负载条件下的效率仍然高达88.7%。为了应对现今IC日益增长的瞬态负
Molex公司推出 Polymicro Technologies 光纤束组件
互联网 (0)Molex 公司推出 Polymicro Technologies™ 光纤束组件。该光纤束组件采用定制配置,可满足包括生物技术和制药诊断器械、半导体制造和检查,以及激光焊接和标记在内的科学与工业光学方面的需求。Molex 负责 Polymicro Technologies 产品的全球产品经理 Teodor Tichindelean 表示:“质量和精度对于光谱学中样本的测量来说具有至关重要的作用,而采用标准组件非常难以达到要求。我们的大功率光纤束组件的制造过程,从而原材料到产成品,都在一处地点完成,可以实现一致的质量与精准的性能。”Molex 在同一地点处可将大光纤支数、大聚集率光纤束的设计支持、光纤生产与装配结合到一起,大幅度节约成本。其制造工艺可在一束中整合*多数量的光纤,同时使空间的浪费降至*低程度。熔接的捆扎设计适用于需要高功率密度的灯具与激光的高温应用,无需多光纤束中所通常需要使用的环氧树脂、荧旋光性和间隙空间。Polymicro Technologies 的光纤组件在一个组件中几乎可以支持任何数量的光纤,同时包括导光光纤和检测光纤在内,可实现*高的设计灵活性与适应性。高精度的
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379Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C,适合超高功率密度应用
互联网 (0)Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET(能在175°C下工作)的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。 更高的工作温度将功率密度提高了85%,可靠性比额定值为150° C业内标准值的MOSFET高三倍。这一新的ET MOSFET产品系列符合IPC-9592电源转换标准,换言之,其*大结温可高达150°C,超过标准150°C MOSFET能达到的125°C,使更大的设计裕量成为可能。该产品系列包括19款新设备,提供5 mm x 6 mm和3 mm x 3 mm标准封装和新的TO-Leadless (TO-LL)封装。这些设备提供广泛的电压额定值,包括30V、40V、60V、80V、100V、120V和150V。Fairchild的ET MOSFET系列将**的耐高温性能、更高的功率密度和更高的可靠性相结合,是用于各种应用比如DC-DC、AC-DC和电机驱动的理想选择,应用范围包括航空电子设备、微型太阳能逆变器、电动工具和电信。Fairchild iFET产品系列副总裁Suman Narayan表示:“作为Fairchild整条ET MOSFET产品线的*新成
闪迪推出一款为 IT 行业开创全新类别的**性全闪存存储平台
互联网 (0)闪迪推出一款为 IT 行业开创全新类别的**性全闪存存储平台,IDC 将其称为“大数据闪存”。闪迪 InfiniFlash 存储系统采用开源软件构建,向大数据和超大规模工作负载提供巨大的容量、极高的性能和**的可靠性,同时显著地降低数据中心复杂性和成本。闪迪系统和软件解决方案部门产品及营销**总监Gary Lyng 据 IDC 研究显示,基于闪存的全闪存阵列 (AFA) 和混合闪存阵列 (HFA)市场在过去五年内实现了两位数的强劲增长,市场规模在2014 年突破了113 亿美元 。该增长在很大程度上受益于向第三代平台计算基础设施的快速迁移,而这种迁移则源于移动办公、社交媒体、大数据分析和云计算对大容量存储、计算能力和可扩展性不断扩大的需求。InfiniFlash 将会是下一代的存储平台。这款突破性的产品采用三种不同配置(IF100、IF500 和 IF700),与传统硬盘(HDD) 阵列相比,可提供 5 倍的密度、50 倍的性能和 4 倍的可靠性,并且能够降低 80% 功耗,同时远超当下专注于性能的全闪存阵列。InfiniFlash 还为全闪存硬件解决方案制定了突破性的定价,每GB不到
英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件
互联网 (0)英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止,没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。作为新一代化合物半导体技术,硅基板GaN技术备受关注。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。一般而言,基于硅基板GaN技术的功率器件适用于各种领域,从高压工业设备,如服务器电源(这也是600V GaN器件的潜在应用领域之一),到低压设备,如直流-直流转换器(如在**消费电子产品中)。IHS发布的市场研究报告显示,与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场,将以高达50%以上的复合年增长率(CAGR)增长,也就是说,到2023年,其市场容量将从2014年的1500万美元,增
Qualcomm宣布DragonBoard 410c开发板和移动终端参考设计支持Windows 10
互联网 (0)Qualcomm Incorporated子公司Qualcomm Technologies, Inc.(QTI)今日宣布 DragonBoard™ 410c开发板将支持微软 Windows 10 物联网(IoT)终端和万物互联(IoE)应用。基于QTI Qualcomm®骁龙™ 410处理器,DragonBoard 410c平台具有**的功能和计算能力,集成了Wi-Fi、Bluetooth和GPS,并且是全球首款支持Windows 10的高性能,低成本ARM®平台之一。这款信用卡大小的开发工具包旨在支持快速软件开发和原型设计,推动新发明和新产品的商业化,例如下一代机器人、相机、机顶盒、可穿戴设备、医疗设备、自动售货机、楼宇自动化、工业控制、数字标牌和**游戏机。Qualcomm Technologies产品管理**副总裁Jason Bremner表示:“Qualcomm Technologies不断为移动终端和开发社区提供所需基础和资源,帮助他们打造智能手机、平板电脑和万物互联应用领域内的Windows终端。我们很高兴能够在Windows 硬件工程产业**峰会(WinHEC)上演示运行
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380凌力尔特推出*新高可靠性和**温度级版本 LTC4412
互联网 (0)凌力尔特公司推出*新高可靠性和**温度级版本 LTC4412,该器件是一款坚固的“理想二极管”电源通路 (PowerPath™) 控制器。LTC4412 可实现多个输入 DC 电源的低损耗 “合路” 操作。其 20mV 的正向电压至少比肖特基二极管低 10 倍。因此,由于在那些需要于不同电源之间实现自动切换或负载均分的系统中大幅降低了功率损耗并减少了自发热,该器件使效率提升了一个数量级。LTC4412 在大范围使用条件下保证满足性能规格要求,例如,在 2.5V 至 28V 工作电压范围内,工作结温范围达到 –55C 至 150C。LTC4412 采用紧凑的 SOT 封装,还提供电池反向和 MOSFET 保护电路。该器件提供数字控制输入和开漏状态输出引脚以简化与微控制器的接口。应用包括通常用多个输入源供电的系统,例如大电流电源通路开关、不中断电源、备份电池系统、逻辑控制电源开关、以及汽车和工业系统。可以使用多个 LTC4412 器件实现多个电池之间的切换,或者用单个充电器给多个电池充电。LTC4412 状态引脚 (STAT) 可用来控制**个 P 沟道 MOSFET 电源开关,以便从
美高森美发布用于通信市场**的全球导航卫星系统解决方案
互联网 (0)美高森美公司发布小型蜂窝基站同步所需的集成式全球导航卫星系统主时钟 (Integrated GNSS Master, IGM)解决方案。设计用于室内安装的IGM是美高森美**在小型全封闭封装中完全集成1588v2 PTP主时钟和GNSS接收器及天线的解决方案。美高森美的IGM解决了业界经常遇到的室内同步难题,这个难题一直是实现高成本效益小型蜂窝室内部署的重大障碍。小型蜂窝基站论坛(Small Cell Forum)指出80%的小型蜂窝基站需**室内应用。有见及此,美高森美期望全新的IGM方案可实现室内小型蜂窝基站部署的变革,不但消除了在屋顶安装天线的需要,还可省去在典型的小型蜂窝基站部署中连接GNSS天线至1588主时钟所需的昂贵的电力、布线和安装成本。IGR报告指出部署小型蜂窝基站的平均成本大约为31,000美元,比小型蜂窝基站本身的成本高出很多。同样地,在屋顶部署GPS天线的成本通常为15,000 至25,000美元,而在高层建筑中更可能高达60,000美元,此外,还有每年租用屋顶的支出。美高森美IGM通过省去室外天线,显着降低了典型GNSS天线系统的采购、安装和维护资源配置成本。
赛普拉斯**代USB Type-C产品已出样
互联网 (0)赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有电力传送(PD)功能的超小尺寸集成USB Type-C控制器已出样。这一可编程EZ-PD™ CCG2 控制器针对2.4毫米厚度的USB Type-C线缆连接器进行了优化,可支持所有USB Type-C下行面端口(DFP)或上行面端口(UFP)应用。EZ-PD CCG2的封装方式为3.3 mm2 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP),并且是首款可编程解决方案,完全集成了Type-C通讯所需的Type-C收发器和终结电阻。USB Type-C标准正在迅速获得**PC厂商支持,其小尺寸、易用型连接器和线缆能够传输多种协议的数据,并具有传送*大100瓦电力的能力,与之前7.5瓦的标准相比有了显著改进。然而,Type-C标准要求采用可报告所支持特性(如电流承载能力、支持的协议,以及供应商身份等)的电子标识电缆(EMCA)。标准的微控制器可以用于制造EMCA,但会因需要外部IC和被动式元件而使设计变得复杂。赛普拉斯的EZ-PD CCG2 Type-C控制器拥有****的集成度,仅需要5个或更少的外部元件,缩短了物料清单,因而能很好地迎接这一挑战。该产品是被动式和主动式
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381意法半导体推出全球首款可定制的无线电池充电控制器
互联网 (0)意法半导体的STWBC数字控制器用于控制无线电池充电器(WBC, wireless battery charger)从发射器(TX)向接收器(RX)的电能传输,为内置无线充电手机、穿戴式装置以及采用电磁感应充电技术的电池供电产品提供*灵活且*高能效的无线充电解决方案。作为Qi无线充电联盟(Wireless Power Consortium)和电源事物联盟(PMA, Power Matters Alliance)两大无线充电行业联盟的成员,意法半导体完全遵守这些先进无线充电协议,并且是全球首批持有*新的Qi 1.1.2 A11标准证书的企业之一。STWBC可执行发射器控制所需的全部关键功能:按照接收器的要求**控制电量发射,提供*大化电能传输效率,及尽可能减少工作温度的升幅。发射器和接收器之间的数字反馈(digital feedback)还可检测是否有金属物体接近发射器(异物检测),当发现金属异物时,STWBC将停止电能传输,以避免短路危险。STWBC的主要特性包括:• 支持Qi和PMA的多个标准• Qi 1.1.2 A11认证• *高5W的输出功率,可为手机、穿戴式装置、遥控器充电•
Diodes霍尔传感器有效降低功耗及提高精准度
互联网 (0)Diodes为便携式消费性电子产品、家用电器及工业设备的非接触式开关推出微功率八位元分辨率霍尔效应传感器系列,包括AH8500、AH8501、AH8502和AH8503。新传感器的供电电压范围为1.6V到3.6V,磁场范围则是±400G,其工作模式及采样率能够把电流消耗降低至微功率级别。AH8500和较精准的AH8501具有使能引脚,在休眠模式,亦即该器件的缺省模式下仅消耗9μA的电流。两款器件在20Hz的频率下一般只消耗12μA的电流;当采样率达到*高7.14kHz时,电流消耗则为1.16mA。新产品系列还包含AH8502和AH8503,两款器件配备控制引脚,并在缺省模式下达到24Hz的采样率,仅消耗13μA的电流;如控制引脚把采样率增高到7.14kHz,电流消耗则为1.16mA。精准度较高的增益调整器件AH8501和AH8503可尽量减少采样到采样的变率,并降低对传感器定标的要求。两款产品在室温下的敏感度精准度为3%,零偏置均低於供电电压的1%。新线性霍尔效应传感器系列具有内部模拟数字转换器和数字模拟转换器,以及超过99.7%的典型线性范围,确保能够通过外部磁场实现高线性。低输入参
Silego推出GPAK混合信号集成电路第四代产品
互联网 (0)Silego推出GreenPAK(GPAK)混合信号集成电路第四代产品。GPAK4系列稳固了Silego可配置混合信号集成电路的工业**位置。Silego公司的NVM可程序设计混合信号集成电路(CMIC)GPAK4系列允许**的设计人员集成多种系统功能例如比较器、ADC、逻辑、延迟、计数器、复位、电源时序、电压感应以及接口电路同时又可减少组件数、电板空间与能耗。SLG46620V是GPAK系列首款第四代产品,不仅继承了前几代产品*好的模拟与数字源并且具备了扩展的功能与改进的**性。SLG46620V较之前几代产品几乎具备了双倍的片上源。该新款器件同时具有一些新的功能例如硬件复位pin与DAC(数字模拟转换器)。该芯片以2.0 x 3.0 x 0.55 mm 20-pin STQFN封装而成。其他器件一样,SLG46620V项目的开发利用的是简单易用的GPAK开发硬件与简单的GPAK设计软件中的GUI接口便可让工程师快速轻易的实现新的设计,同时对设计需求实时作出修改。Silego公司市场总监NathanJohn阐述道,“有了GreenPAK4系列的SLG46620V,我们可以为客户提供一
TE的MHP-TAM系列为用于超薄便携式消费电子产品的锂电池提供紧凑热保护
互联网 (0)由于大容量锂聚合物和柱状电池供电的超薄笔记本电脑和其它便携式消费电子产品必须满足日益严格的**标准, 因此TE Connectivity旗下业务部门TE电路保护部推出新的MHP-TAM系列器件,帮助电池应用设计人员完成这项任务。MHP-TAM系列器件具有超低侧高(*大长度: 5.8mm x 宽度: 3.85mm x 高度: 1.15mm )封装和高额定电压 (9VDC)特性,并且提供两种不同的载流容量和多种截止额定温度选择,能够帮助设计人员满足严苛的消费电子产品峰值电流需求,是节省空间的热关断(thermal cutoff, TCO)解决方案。MHP-TAM器件使用**的金属混合聚合物正温度系数(metal hybrid PPTC, MHP)技术,采用并联方式连接一个PPTC器件和一个双金属片保护器。在电池应用中,MHP-TAM器件帮助提供可重置的过热保护,在侦测到故障时关断电池,并在故障消除时重置。MHP-TAM系列器件具有范围为 72°C 至90°C(典型值)的不同打开温度,适合电池市场。它们还提供两种保持电流水平:低电流(在25°C下大约为6A)和大电流(在25°C下大约为15A