“十二五”规划布局本土电子器件产业促进综合竞争力提升

先进电子器件是降代现代电子产品工作能耗，提高产品性能主要构成。中国，作为全球*大电子产品消费国之一，努力提升国产电子产品器件生产技术及性能，将是未来国内电子产业主要发展方向。电子元器件是元件和器件的总称。由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。如今，广泛普及的消费类电子产品每一次更新换代就是一次电子器件制造技术综合提升。2012年7月9日，国务院正式印发《“十二五”国家战略性新兴产业发展规划》。《规划》中指出，“十二五”期间，新一代信息技术产业销售收入年均增长20%以上。在《规划》中重点提到的新一代信息技术包括：超高速光纤与无线通信、物联网、云计算、数字虚拟、先进半导体和新型显示等新一代信息技术。通过新一代信息技术的突破，达到建设下一代智能信息网络，并推进信息技术****兴应用拓展和网络建设的互动结合，在这个过程中，与此相关的产业链都将获得快速发展。由于国家的政策扶持，这些领域将带动整个产业链数以万亿计的效应。在新一代信息技术中，与电子产业相关的核心产业有：集成电路产品设计、先进和特色芯片制造工艺

新型记忆体芯片MRAM受热捧

全球半导体业者竞逐下一个世代记忆体芯片的主导权日趋白热化，东芝和海力士组成的日韩联军、美国美光公司领军的团队，以及南韩三星电子等三大阵营，研发磁阻式随机存取记忆体(MRAM)，要拼谁*快量产。日本的东芝和南韩的海力士公司，*快将于2016年度起合作量产新型记忆体芯片MRAM，比美国半导体大厂美光科技(Micron Technology)规划的2018年早约两年。东芝和海力士正研发的MRAM在关掉电源后，仍能保存数据资料。相较于目前广泛使用在PC、智能手机和其他装置的动态随机存取记忆体(DRAM)，MRAM的资料储存量高出九倍，耗电量仅三分之二。东芝和海力士于2011年同意携手开发MRAM，希望明年度就能开始提供由首尔郊外海力士晶圆厂生产的样品。双方的计划是让MRAM在南韩量产，如果需求达标，将组成合资公司，投入1,000亿日圆(9.4亿美元)资金，在日本或南韩开辟专属生产线。除东芝和海力士外，全球还有两大阵营在各自努力推动MRAM 的商业化。美光现正与包括东京威力科创在内约20家美、日半导体业者合作，力图在2018年实现量产的目标。南韩的三星电子公司也不落人后，目前维持自主研发路线。M

2013年家电半导体市场增速调查

国内一周半导体行业动态盘点

据报，此次国家的扶持新政将重点在芯片制造、芯片设计、芯片封装和上游生产设备(如晶圆炉)领域展开扶持。操作层面上，主要是从国家层面扶持企业加大资金投入。资金扶持的形式上，有可能采取产业投资基金的方式。对象上，将重点支持十余家企业做强做大。1黑莓与富士康合作开发的首款智能机无实体键盘2014.01.02黑莓和富士康合作开发的首款黑莓智能手机Jakarta将不配置实体键盘。Jakarta将首先登陆印尼市场，支持3G连接，发售时间为明年3、4月份。新兴市场对于黑莓的生存很重要。在黑莓第三季度销售的430万部手机中，320万部运行黑莓7操作系统。这也是除缺乏实体键盘，Jakarta运行黑莓10让人感到意外的原因。2三星半导体西安工厂动工**存储芯片明年正式量产陕西省长娄勤俭和三星电子存储芯片事业部长金奇南社长，共同将一片代表目前*先进技术的Wafer投入到设备中，三星***半导体工厂在西安高新区启动。该Fab采用世界上*先进的10纳米级技术生产闪存芯片主流产品。三星配套企业目前已落户50家，将使西安提升为全球电子信息技术**的生产研发基地，奠定西安在**战略性新兴产业发展**梯队的地位。3东芝携

半导体行业景气回升厂商将加大投资

　　半导体行业景气度持续回升：2013年以来，半导体行业景气度持续回升。全球半导体销售额持续上升，尤其是半导体市场份额占比较大的美洲和亚太地区，率先**整个半导体行业的复苏。中国作为亚太地区重要的半导体市场，2012年半导体销售额占全球的市场份额接近20%。此外，从半导休设备厂商BB值来看，2013年，北美、日本半导体厂商BB值基本处于1以上，显示半导体厂商投资意愿在加强，以及对未来整个行业的乐观预期。国内半导体集成电路产业蓬勃发展：随着全球笔记本电脑、台式电脑、手机、数码相机、液晶面板、摄像头等电子产品产能向中国大陆转移，中国已成为全球电子产品制造基地，相应地带来大规模的集成电路需求。中国半导体集成电路产业持续超越全球行业平均水平快速成长，在全球集成电路产业中的地位也持续上升。从细分行业来年，集成电路设计业近年来持续高增长，产业结构进一步优化，各细分行业的技术水平也得到了很大提升。芯片国产化乃大势所趋：集成电路产业作为基础性产业，其发展对整个电子信息产业的发展具有明显的带动作用。然而，由于中国集成电路产业起步较晚，同时国外对中国高技术芯片的封锁，中国集成电路产业成长较为坚难，目前，中

2014年中国面板产业发展五大趋势预测

面板行业真是让中国人又爱又恨，我们终于有了自己的京东方，不再受制外国厂商，在欢呼的同时，却传来了产能过剩的讯息。但是面板是属于战略性产业，即使过剩也要咬牙坚持，唯有看清未来形势，才能重获生机。MIC的总结，或许会有一些启发性，2014年面板也要刮五风：精细风、曲面风、小微风、多异风、无感风，咱们准备好了吗？据观察，2014年面板与半导体产业发展，归纳出“精细风、曲面风、小微风、多异风、无感风”五大趋势，预估在穿戴产品市场的加温下，带动传输以及各种感测装置等相关商机。精细风终端产品画面更精细据预估，2014年全球液晶电视4K2K出货量将达到1,351万台，渗透率为6.3%，2015年可望提升至13.4%。至于智慧型手机搭载面板的规格方面，则将从现阶段的FullHD(1920x1080)与HD(1280x720)，于2014年推升至WQHD(2560*1440)。洪春晖表示，2014年4K2K面板供给扩大，拓展至主流尺寸，使终端产品尺寸多元发展，促使陆系、韩系及日系品牌将积极布局4K2K产品，价格持续降低，4K2K电视渗透率将呈倍数成长。同时智慧型手机朝向娱乐终端发展，消费者偏好较佳视觉体

LED行业迎来新一轮爆发性增长

继上周四整体暴涨之后，上周五，LED行业股票继续保持强势，与大盘指数萎靡不振形成强烈对比。本报记者昨日采访行业内人士获悉，LED行业正在迎来新一轮爆发性增长，主力资金的热衷追逐自有原因。LED概念股现大资金净流入上周五，沪深大盘指数下跌，而长方照明(12.740,0.31,2.49%)继续涨停，上周四涨停的聚飞光电(23.470,0.34,1.47%)、雷曼光电(17.200,0.72,4.37%)、阳光照明(16.27,0.08,0.49%)、三安光电(27.76,-0.18,-0.64%)涨幅也在4%至6%之间。这些上市公司都生产LED灯。据《证券日报》市场研究中心数据显示，沪深两市涉及LED封装的相关概念股共有18只，从资金流向看，其中16只股票在过去两个交易日有大资金净流入。为什么LED行业股票刚过年关就开始发飙？正巧，记者日前遇到AmsolemLighting(蓝锌照明)公司��外市场部经理王婷婷，得以向她请教。她的公司过去一年的发展可以说是LED行业迅猛发展的缩影。这家企业有100多人的研发团队，去年下半年开始，公司凭**产品——360度发光LED进军欧洲大获成功。这款灯打破

2015年我国LED照明产业规模预计

新一代SiC和GaN功率半导体展开竞争激烈

　　OFweek半导体照明网讯与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiCMOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiCMOSFET

机构看好我国半导体和LED领域

新年伊始的前两个交易日，电子行业个股受到市场热捧。证监会电子行业指数前两个交易日上涨已超过3%。板块方面，半导体、LED绿色照明等涨幅居前。2013年被很多LED业界人士认为是*好的一年，产品销售一路走旺。据高工LED产业研究所(GLII)预测，2013年中国LED行业产值将达到2638亿元，同比增长28%。未来五年，LED应用除了室内室外，汽车照明、特种照明以外，其他领域将会进入缓慢的增长时期。据中国行业研究报告分析认为，2014年LED行业将开始**，营业额在***别以下的企业未来生存的概率不大，LED行业将从今年开始动真格的**。尤其是在未来三年，LED行业大鱼吃小鱼，快鱼吃慢鱼，将是产业的常态，因为市场的空间就那么大，这也是市场规律的必然结果。非上市公司可能基本上被淘汰或整合，上市的LED行业龙头则有望从整合过程当中受益。从全球形势看，去年四季度以来，半导体行业复苏态势也强劲。11月，北美半导体设备BB值持续攀升达到1.11，平今年*高水平。其中订单量同比上升72.27%，出货量同比上升22.36%;日本半导体设备BB值上升至1.39，订单量同比上升77.4%，出货量同比上升1

旁路二极管供不应求，今年将增收3000万

1月6日，扬杰科技（300373.SZ）将于近期招股上市，公司董事长梁勤近日对本社表示，今年下半年太阳能市场转好，旁路二极管供不应求，2013年旁路二极管的销售额将达1.5亿，2014年保守增加3000万，增长率将超过20%。 ***息显示：公司的产品主要有分立器件芯片，功率二极管，整流桥，模块等半导体分立器件，产品线涵盖半导体分立器件产业链的主要环节，广泛应用于汽车电子、智能电网、光伏、消费类电子、LED、通讯等领域。 光伏新一轮扩产，2014年全球旁路二极管需求将超10.50亿只 光伏新一轮扩产火热进行中，而光伏二极管也将迎来一次盛宴。 目前，包括英利绿色能源(NYSE:YGE)、天合光能(NYSE:TSL)、晶科能源(NYSE:JKS)、晶澳在内的光伏组件商已准备扩产。英利海南基地组件产能已由300MW左右扩至1GW；晶科能源(NYSE:JKS)年底产能达到1.8GW，预计2014年会达到2GW；天合光能现在组件产能2.4GW，计划2014年达到3GW。 多位行业人士认为，下半年组件商纷纷扩产扩产，主要由于出货量大增，业绩好转，并且看好明年光伏市场。2014年全球光伏市场将继续增

我国数字电源市场尚未成熟成本是前进绊脚石

随着节能成为当今世界的重大课题，电源管理也越来越受重视，技术水平的提升正不断优化系统的能效。但是，在“高集成度”、“数字化”等概念面前，企业更关注的还是市场和成本等现实问题。 电源管理芯片曾被形容为半导体行业的灰姑娘，这表明电源管理芯片长期以来被认为是半导体业界一个不起眼的配角。然而，与数字电路市场的大起大落不同，电源管理芯片保持着长期、稳定的增长势头。Databeans公司的市场调查结果显示，2007年电源管理芯片全球销售额超过80亿美元，预计今年的增长可达7%。随着原油价格的不断上升，节能领域的应用无疑是给灰姑娘穿上了红舞鞋，电源管理应用正迈步走向半导体产业的前台。 技术**促进能效提高 节能是当今电子制造的主旋律，各种电源管理芯片在这一领域正发挥越来越重要的作用。很多国家利用行政手段甚至立法鼓励生产厂家在其产品中运用节能技术。 一提到节能，人们往往首先想到机器轰鸣的大型工厂。其实，信息技术应用领域的能耗在全球范围内也是非常惊人的。对此，凌力尔特公司电源产品部产品市场经理TongArmstrong在记者采访时做了形象的说明：“以分发数以百万计的YouTube视频并保持经济运行的服务

能源采集元件市场可期半导体厂商积极布局

能源采集(Energy Harvesting)市场热度正迅速加温。在各式无线感测器及薄膜电池(Film Battery)当道的趋势带动下，能源采集势力将在行动装置、机器对机器(M2M)等各式应用领域中快速崛起，成为物联网(IoT)不可或缺的重要技术，而电源管理积体电路(PMIC)厂商德州仪器(TI)、意法半导体(ST)等正磨刀霍霍，接连发布*新产品抢先卡位市场。市调机构Researchmoz分析师Susan Eustis表示，将环境能源(Ambient Energy)转换到能源采集系统的方案，可以提供可携式电子长期廉价且简易的供电、储电方式，系十分实用且引人注目的技术。Researchmoz*新市调报告指出，2012～2019年能源采集元件市场规模将由1亿3,140万美元爆发成长至42亿美元，主要成长动能系市场对于薄膜电池的微电源(Micro Power)等级充电需求，以及全球对于控制系统的无线感测器网路应用热潮。以远距医疗(Telemedicine)及行动医疗(m-health)应用为例，能源采集元件即可让手持通讯装置更为坚固耐用。事实上，能源采集技术逐渐在消费性电子及工业应用市场崭

新一代功率半导体加剧导入元器件行业竞争

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。 SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。 由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。 SiC备受汽车

LED照明小增长芯片原材料镓和铟金属受益

LED是发光二极管(LightEmittingDiode)的英文缩写，它是利用固体半导体芯片作为发光材料的一种半导体电子元件，被誉为“21世纪新固体光源时代的**性技术”。相比白炽灯、节能灯等传统照明产品而言，其节能、环保、寿命长、瞬时启动、高显色等优点得到了全世界的普遍认可。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力，各国也掀起了推广LED照明的浪潮。日本、美国、欧盟、韩国等国相继推出国家半导体照明计划，早在1998年日本就率先展开“21世纪照明”计划，美国联邦政府在2002年也启动了“国家半导体照明研究计划”即“下一代照明计划(NGLl)”，力推LED照明。欧盟的“彩虹计划”也2000年7月启动，委托6个大公司、2所大学，通过欧盟的补助金来推广白光发光二极管的应用欧。同时韩国在2004-2008年也投入1亿美元，实施“固态照明计划”。中国也在2012年印发了《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》，提出到“十二五”末发光二极管(LED)在通用照明市场占有率达到30%，形成5000亿元产业规模的目标。刚刚过

家电半导体绿色概念兴起数字家居蓬勃发展

2013年全球半导体产业发展趋势分析

　　国内/外IC设计厂商情况：国内IC设计产业产值由2010年人民币225亿元逐年成长至2012年622亿元，预估2013年将更进一步达到743亿元新高，值得注意的是国内IC设计产业产值年成增长率亦由2010年22.5%逐年攀升至2012年28.8%，预计2013年将再进一步攀升至30.9%，到2014年国内IC设计产业产值将有机会超越台湾地区，成为全球第2大IC设计地区，排名将仅次于美国。2011年全球前25大IC设计厂商营收总和占整体市场约80%，其中中国大陆的海思和展讯分别位列第16和第17位。2012年海思、展讯、锐迪科等国内前3大IC设计厂商，2010~2012年营收维持3年连续增长，其中，展讯1Q13~3Q13累计营收年成长率更高达45.7%，说明国内IC设计产业自十五规划以来布局于移动通信领域卓有成效。对于国内晶圆代工厂商而言，国内IC设计产业高成长带来的商机将是支撑未来增长的重要动能。国内/外晶圆代工厂商情况：受到生产设备和材料进口等限制，虽然国内目前拥有约50家晶圆代工厂商，但其规模皆不大，营运状况亦尚未步上获利的轨道;且晶圆代工是一资本与技术密集的产业，加上技术的演

去年前11个月我国半导体分立器件出口情况

我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业，受到国家有关部门的大力扶持。近年来，我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据统计，去年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件(以下简称半导体器件)3204亿个，较去年同期(下同)增长8.4%;价值226.7亿美元，增长0.5%。去年前11个月我国半导体分立器件出口呈现以下特点：(一)出口量持续增长，进口量增速明显放缓。去年我国半导体分立器件月度出口量呈震荡增长态势，进口量与去年相比，增速明显放缓，甚至在去年2月、5月、9月三个月出现负增长。我国半导体分立器件出口量在8月份达到2012年以来的历史高点313.3亿个后，9月、10月连续两月出现短暂回落，但11月份又有所回升，当月出口半导体分立器件308亿个，增长8.2%，价值328.1亿美元。(二)加工贸易方式出口占据近半壁江山，海关特殊监管区域出口飞速增长。去年1-11月，我国以加工贸易方式出口半导体分立器件1555.4亿个，下降4.3%，价值103.9亿美元，占同期我国半导体分立器件出口总量(下同)的48.5%;以海关特殊监管区域方式出口1042亿个，增长36.9%，价值62.9%，占32.

汽车音响：整合与细分

在今天的汽车设计中，汽车信息娱乐系统呈现了朝音响本体整合的趋势，而这种趋势也推动整个系统朝分配式的结构方向发展。系统和芯片开发商在从仅仅具有CD播放功能的音响系统到多功能系统装置转变过程中将面临较大的变化。从系统方面来说，曾经分离出来实现导航或其他功能的系统组件现在要采用不同的方式重新进行分配。这些将推动芯片制造商在产品开发方面做出较大的调整，以提高系统的可扩展性和连接性。 系统的拼合 汽车音响本体涵盖的功能越来越多，而实现这些功能的硬件则分散在车辆的各个角落。举例来说，我们可以将接收器移到天线附近，然后采用轻便的CAN线路将信号发送到放大器，而不必采用较重的天线线缆，将其接到仪表盘内，这样做更具成本效益。 “A M-F M调谐器，其中可能还包括卫星和HD收音机，设置在行李箱中，距离天线不远，”飞思卡尔半导体公司全球汽车驾驶员信息系统市场经理DonFinney表示。“采用一个单独的盒子可以让硬件的升级变得更加容易。” 增加模块会增加成本，但是灵活性在这种情况下要比成本更重要。一些系统部件如收音机接收器在整个车型系列的产品线上都可以使用，这样可以通过产量的提高来大幅降低成本差别。 汽车音

智能家电兴起半导体市场规模大增

近几年物联网蓬勃发展，智能家电逐步兴起，半导体市场随之景气度上升。目前的家电可谓是越来越智能化了，厂商在制造家用电器时越来越多地采用了半导体技术，例如冰箱、微波炉、洗衣机、空调以及厨房电器等产品。智能家电的普及也带动了半导体行业的高速发展。根据市场研究公司IHSiSuppli的报告，今年的家电半导体市场增幅为12%，市场规模已经达到了26亿美元，与去年同期相比增加了6.8%。在智能家电中，空调和洗衣机是运用家电半导体*多的两件家电产品，占据家电半导体市场总营收的六成。IHSiSuppli分析师DineshKithany表示：“家电业的强势表现带动了半导体市场的繁荣。新兴市场国家的消费者愿意花更多的钱购买家电产品，环保健康理念的风行以及家电产品中越来越多地使用电子设备，让家电半导体市场受益良多。”基于此，IHSiSuppli预计，未来一直到2015年，家电半导体市场都会保持两位数的增幅，此后，增幅虽有降低，但也能达到9%左右。按照IHSiSuppli的预测，家电半导体市场的规模将在2017年达到38亿美元。

LED企业能否走出”各自为政”的怪圈

2013年，不少上市企业的新品发布会、经销商大会、渠道招商大会等各种形式的渠道布局热烈展开。渠道这条“交通大动脉”的建设已经成为了LED行业的“燃眉之急”。在投入大量人力、物力、财力，但效果甚微的占领“山头”的攻坚战中，渠道这位“娇羞的姑娘”始终是“犹抱琵琶半遮面”，让人看不清、摸不透。走过十年历程的LED行业，如何建设一个完善科学的渠道体系支撑未来十年的发展，赶上市场快速启动的节奏，是摆在每个企业面前的难题。 而渠道的另一端，国内传统渠道商们迫切需要能找到长期合作、长期运营的产品和合作厂商;海外市场方面，通过华东LED应用推广中心在立陶宛、匈牙利等国家的渠道开拓情况来看，海外市场需求也同样旺盛;从国际半导体照明联盟(ISA)推动的金砖五国之间的合作来看，这些新兴市场对于半导体照明的应用合作积极性很高。 而问题在于，对于对行业和产品并不熟悉的买家而言，面对琳琅满目的LED产品以及中国市场上的“山寨”风。如何甄别产品质量、如何甄别供应商的长期可合作性、如何保障采购后期的质量品质等则是他们*为关注、也*为头疼的问题。 这就如同两个大龄剩男剩女，同样的**，同样想着找个好人“娶了”或“嫁了”

2014年功率半导体领域发展趋势分析

　　2013年，SiC及GaN等新一代功率半导体器件发展迅速，中国大陆、台湾、韩国等亚洲国家和地区的厂商开始大范围涉足该领域，预计2014年，功率半导体的热点将集中在这些国家和地区的厂商之中。与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiCMOSFET的*新开

京东方A半导体显示抢占产业制高点

京东方A第8.5代氧化物TFT-LCD生产线日前在合肥点亮投产。这是****条自主建设，使用氧化技术的TFT-LCD生产线。该生产线的投产对于京东方在新型显示技术领域的拓展意味着什么？对于公司一直大力布局的半导体显示产业又有何重要意义？日前，记者实地走访了京东方。抢占产业制高点“此次京东方合肥8.5代线的顺利投产，是京东方抢占氧化物TFT-LCD**显示及OLED新型显示市场的重要举措，将进一步提升京东方在新型显示技术领域的自主**能力。”京东方副总裁张宇表示，更为重要的是，加上重庆8.5代新型半导体显示器件及系统项目已开工建设，鄂尔多斯第5.5代AMOLED生产线在去年11月投产，公司在未来半导体显示产业上的布局正在逐步成型。据了解，目前京东方各条生产线均满产满销，整体盈利能力稳定，去年第四季度业绩仍实现了季度增长。张宇表示，关于未来显示技术方向，京东方率先在全球业内提出半导体显示这一产业新定义，将TFT-LCD、AMOLED、柔性显示等具有半导体技术基础共性的显示器件统称为半导体显示，并得到了全球同行的高度认可。在半导体显示定义的基础上，京东方开始积极规划产业布局：一方面充分利用T

三大国首先掀起LED新一代照明技术替换潮

　　随着环境污染日益加重，LED作为新一代照明技术，成为当今全球社会所关注的焦点。随着LED的发光效率与寿命提升，加上具备省电、节能以及环保的优势逐渐显著，LED替换潮大幕开启。LED欧美市场从2014年起，欧美国家开始逐步淘汰民用市场用量*大的40-60W白炽灯泡，为LED照明产品的普及提供了有利的契机。这也将刺激全球LED照明厂商加快布局LED照明的步伐，进一步推升全球LED照明渗透率。美国政府对于LED照明的扶持力度正在逐渐加大，能源之星等灯具补贴数量增长迅速，促使LED灯具价格进一步降低。CREE等厂商纷纷看好2014年LED照明市场发展，并预期替换性灯具的销量增长将成为接下来的业务增长重点。在市场相对成熟的欧洲地区，虽然并未见到大规模补贴政策，但是其高昂的电价以及光文化的差异，使得商用照明与户外建筑情境照明应用持续存在需求。而未来几年随着白炽灯泡**禁止政策的影响发酵，预估市场将继续呈现稳定增长态势。LED日本市场作为LED领域的产业强国，日本在推动世界LED产业发展的过程中也发挥了十分重要的作用。早在14年前，日本已开始实施推动半导体照明技术发展及产业化的“21世纪光计划”

半导体分立器件出口量持续增长企业仍面临挑战

　　我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业，受到国家有关部门的大力扶持。近年来，我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据统计，今年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件（以下简称半导体器件）3204亿个，较去年同期（下同）增长8.4%；价值226.7亿美元，增长0.5%。今年前11个月我国半导体分立器件出口呈现以下特点：（一）出口量持续增长，进口量增速明显放缓。今年我国半导体分立器件月度出口量呈震荡增长态势，进口量与去年相比，增速明显放缓，甚至在今年2月、5月、9月三个月出现负增长。我国半导体分立器件出口量在8月份达到2012年以来的历史高点313.3亿个后，9月、10月连续两月出现短暂回落，但11月份又有所回升，当月出口半导体分立器件308亿个，增长8.2%，价值328.1亿美元。（二）加工贸易方式出口占据近半壁江山，海关特殊监管区域出口飞速增长。今年1-11月，我国以加工贸易方式出口半导体分立器件1555.4亿个，下降4.3%，价值103.9亿美元，占同期我国半导体分立器件出口总量（下同）的48.5%；以海关特殊监管区域方式出口1042亿个，增长36.9%，价值62.9%，占3

前11月电子制造业销售产值同比增长10.9%

图1 2012年~2013年11月电子信息制造业增速对比情况图2 2012年~2013年11月主要行业销售产值增速对比图3 2011年~2013年11月内外销增速对比图4 2011年~2013年11月各经济类型销售产值增速工业和信息化部运行监测协调局 今年1~11月，我国电子信息制造业保持平稳增长，受年底翘尾因素影响，主要经济指标呈现小幅回升向好，对外贸易月度增速创年度新高。但总体需求趋弱的态势仍在延续，产业投资增速仍处于低速增长区间。结构调整仍将是产业未来发展中的长期问题。 总体情况 （一）11月，规模以上制造业增加值、销售产值、内销产值分别增长11.3%、10.1%和18.2%，其中增加值连续3个月增速超过11%；内销增速比9月提高4.2个百分点。 1~11月，规模以上制造业增加值增长11.2%，连续9个月增速保持在11%~11.5%区间，保持平稳增长。今年以来，规模以上制造业增加值增速始终快于工业平均水平，但二者差距逐步缩小，截止到11月底仅高出工业平均水平1.5个百分点。1~11月，全行业实现销售产值84313亿元，同比增长10.9%；出**货值43897亿元，同比增长5.0%

智能家居助力家居半导体行业发展

据市场研究公司IHSiSuppli报告称，2013年，家电半导体市场规模增长达到两位数，这表明数字家居以及物联网工业正蓬勃发展。报告称，2013年家电半导体市场增幅为12%，规模达到26亿美元，去年这一数字为23亿美元，去年的涨幅为6.8%. 如今，使用半导体*多的家电产品为空调和洗衣机，两者占到家电半导体市场总营收的60%.IHSiSuppli分析师DineshKithany表示：“家电业的强势表现带动了半导体市场的繁荣。新兴市场国家的消费者愿意花更多的钱购买家电产品，环保健康理念的风行以及家电产品中越来越多地使用电子设备，让家电半导体市场受益良多。” IHSiSuppli预计，未来一直到2015年，家电半导体市场都会保持两位数的增幅，此后，增幅虽有降低，但也能达到9%左右。按照IHSiSuppli的预测，家电半导体市场的规模将在2017年达到38亿美元。 目前，家电微控制器大多为8位的设备。IHS预测，未来四年微控制器将会迅速升级为32位，而这要得益于电子显示屏、触控技术、感应器以及变频技术在家电设备中应用逐渐广泛。

半导体元件开发竞争激烈亚洲企业纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。 SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。 由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。 SiC备受汽车

智能家居促进家居半导体行业发展

据市场研究公司IHSiSuppli报告称，2013年，家电半导体市场规模增长达到两位数，这表明数字家居以及物联网工业正蓬勃发展。报告称，2013年家电半导体市场增幅为12%，规模达到26亿美元，去年这一数字为23亿美元，去年的涨幅为6.8%. 如今，使用半导体*多的家电产品为空调和洗衣机，两者占到家电半导体市场总营收的60%.IHSiSuppli分析师DineshKithany表示：“家电业的强势表现带动了半导体市场的繁荣。新兴市场国家的消费者愿意花更多的钱购买家电产品，环保健康理念的风行以及家电产品中越来越多地使用电子设备，让家电半导体市场受益良多。” IHSiSuppli预计，未来一直到2015年，家电半导体市场都会保持两位数的增幅，此后，增幅虽有降低，但也能达到9%左右。按照IHSiSuppli的预测，家电半导体市场的规模将在2017年达到38亿美元。 目前，家电微控制器大多为8位的设备。IHS预测，未来四年微控制器将会迅速升级为32位，而这要得益于电子显示屏、触控技术、感应器以及变频技术在家电设备中应用逐渐广泛。

从全球知名原厂2013年表现看2014年半导体走势

转眼间，一年又过去了，从明天起，我们将踏入一个新的年份，在半导体行业里，过去的一年依然是风起云涌，暗战不断。不但在产品性能上进行提升，同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场终端产品的影响，各种产品的供需都出现了不同的现象，下面我们来看全球知名半导体原厂在2013年的表现，并从中窥探2014的走势：1、NXPNXP的逻 辑器件以及二三极管，整体来说市场占比还是不错。今年10月开始，nxp的逻辑以及一些二三极管，普遍上调价格10%~20%不等，对于这些信息月用量在以几K或者几十K计的终端工厂，大多都没察觉，毕竟这物料在BOM中的占比太少，但是到了年底感觉会大一些：在做COST DOWN的时候发现供应商不会再下调。NXP， BAT开头系列的物料，大部分今年将停产。像BAT54S、BAT54W、BAT54C这些*通用的物料也将成为停产的对象。言语间不少NXP代理，14年都准备放弃该产品线，如东棉等。2、MICROCHIP2010年11月， Microchip收购SST不出货，造成市场缺货，FLASH SST39系列现货市场翻3~4倍，SST25系列也是2~3倍的狂涨，MCU相继也是大幅度的涨

我国半导体分立器件出口量持续增长企业仍面临技术**挑战

我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业，受到国家有关部门的大力扶持。近年来，我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据海关信息网统计，今年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件（以下简称半导体器件）3204亿个，较去年同期（下同）增长8.4%；价值226.7亿美元，增长0.5%。今年前11个月我国半导体分立器件出口呈现以下特点： （一）出口量持续增长，进口量增速明显放缓。今年我国半导体分立器件月度出口量呈震荡增长态势，进口量与去年相比，增速明显放缓，甚至在今年2月、5月、9月三个月出现负增长。我国半导体分立器件出口量在8月份达到2012年以来的历史高点313.3亿个后，9月、10月连续两月出现短暂回落，但11月份又有所回升，当月出口半导体分立器件308亿个，增长8.2%，价值328.1亿美元。 图1：2012年1月-2013年11月我国半导体分立器件进出口情况趋势图 （二）加工贸易方式出口占据近半壁江山，海关特殊监管区域出口飞速增长。今年1-11月，我国以加工贸易方式出口半导体分立器件1555.4亿个，下降4.3%，价值103.9亿美元，占同期我国半导体分立器件出口总量（下同）的48

新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。 SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。 由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。 SiC备受汽车

电子投资策略行业周期向好半导体行业受益

　　市场回顾：市场景气度进入淡季区间，平均市盈率回落至44倍左右。各子行业估值与该行业与消费电子产品紧密度有莫大关系。光学器件、显示器件等估值较高。基本面：三、四季季度设备订单价格比维持高位。2013年全球半导体资本投入预计将持平。2014年资本投入将增长5~6%。电子行业2014年上游复苏。我们预计2014年上半年是依然维持高景气。我们给予电子行业看好评级。一季度通常为电子行业的相对淡季，大多数与下有消费类电子产品相关的中上游企业处于开足马力为黄金周热销产品生产的过程中。然而投资者对消费结构升级后受益程度*高的新兴产业--TMT和医药行业的过度热情，导致股价在二季度已部分透支上升空间。相信电子类股票在一季度旺季整体难有更佳的表现，但市场上不乏事件性驱动因素，部分个股的表现可能会有亮点。平板电脑出货量2013年将大幅度超越传统笔记本电脑，今年平板电脑出货预计增长50%以上，但对行业的带动作用远不及手机来得直接。笔记本市场低迷，OGS触摸屏订单不足。触摸屏行业陷入局部供过于求的境地。液晶面板价格持续下行，面板企业盈利状况将稍有变差。4K面板热销，在与AMOLED电视竞争中暂时取得上风。总

分析：前11个月我国半导体分立器件出口特点

我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业，受到国家有关部门的大力扶持。近年来，我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据海关信息网统计，今年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件（以下简称半导体器件）3204亿个，较去年同期（下同）增长8.4%；价值226.7亿美元，增长0.5%。今年前11个月我国半导体分立器件出口呈现以下特点： （一）出口量持续增长，进口量增速明显放缓。今年我国半导体分立器件月度出口量呈震荡增长态势，进口量与去年相比，增速明显放缓，甚至在今年2月、5月、9月三个月出现负增长。我国半导体分立器件出口量在8月份达到2012年以来的历史高点313.3亿个后，9月、10月连续两月出现短暂回落，但11月份又有所回升，当月出口半导体分立器件308亿个，增长8.2%，价值328.1亿美元。 （二）加工贸易方式出口占据近半壁江山，海关特殊监管区域出口飞速增长。今年1-11月，我国以加工贸易方式出口半导体分立器件1555.4亿个，下降4.3%，价值103.9亿美元，占同期我国半导体分立器件出口总量（下同）的48.5%；以海关特殊监管区域方式出口1042亿个，增长36.9%，价值62.

日本确立单层碳纳米管量产技术

日本产业技术综合研究所（以下简称产综研）与名城碳纳米公司于2013年12月24日宣布，利用产综研开发的单层碳纳米管（CNT）制造技术“eDIPS法”（enhanced direct injection pyrolytic synthesis method，增强直喷热解合成法）开发出了工业生产设施。 与名城碳纳米以前基于电弧放电法的原有制造工艺相比，新设施的量产效率达到了前者的100倍。该公司计划从2014年开始提供在新设施生产的单层CNT样品。 eDIPS法是由化学气相沉积法（CVD）之一——气相流动法改进而来的一种催化剂/气体接触反应法。特点是可获得杂质少、品质高的单层CNT。目前已证实，采用此次的量产技术时，用G/D比表示的结晶性可达到普通市售单层CNT的5～10倍，纯度也超过99％。CNT的直径较小，仅为约2nm。（记者：野泽 哲生，《日经电子》）(编辑：CSJ)

行业周期向好半导体行业受益

　　市场回顾：市场景气度进入淡季区间，平均市盈率回落至44倍左右。各子行业估值与该行业与消费电子产品紧密度有莫大关系。光学器件、显示器件等估值较高。基本面：三、四季季度设备订单价格比维持高位。2013年全球半导体资本投入预计将持平。2014年资本投入将增长5~6%。电子行业2014年上游复苏。我们预计2014年上半年是依然维持高景气。我们给予电子行业看好评级。一季度通常为电子行业的相对淡季，大多数与下有消费类电子产品相关的中上游企业处于开足马力为黄金周热销产品生产的过程中。然而投资者对消费结构升级后受益程度*高的新兴产业--TMT和医药行业的过度热情，导致股价在二季度已部分透支上升空间。相信电子类股票在一季度旺季整体难有更佳的表现，但市场上不乏事件性驱动因素，部分个股的表现可能会有亮点。平板电脑出货量2013年将大幅度超越传统笔记本电脑，今年平板电脑出货预计增长50%以上，但对行业的带动作用远不及手机来得直接。笔记本市场低迷，OGS触摸屏订单不足。触摸屏行业陷入局部供过于求的境地。液晶面板价格持续下行，面板企业盈利状况将稍有变差。4K面板热销，在与AMOLED电视竞争中暂时取得上风。总

AMAT全方位强化功率半导体生产设备业务

美国应用材料公司（Applied Materials，AMAT）瞄准近年来需求高涨的功率半导体及MEMS器件市场，将强化200mm晶圆生产设备相关业务，将来还打算支持功率半导体领域的300mm晶圆及SiC/GaN的生产。 AMAT的主力业务归根结底还是300mm晶圆相关设备，但该公司“也一直在致力于200mm设备的业务”（AMAT元件及系统部门全球服务总监田中丰）。除了销售新的200mm设备之外，*近该公司还在开展对客户拥有的200mm设备进行升级（改造）的服务，使这些设备能够制造功率半导体及MEMS。该公司表示，其中尤其值得期待的是功率半导体领域。 作为200mm设备的新市场，功率半导体及MEMS器件领域值得期待。IGBT的构造。要求实施厚膜外延及深沟道等工序。制造Si-IGBT及超结MOSFET等功率半导体时，必须要使用厚膜的硅外延成膜设备、厚膜的铝溅射（PVD）设备以及深蚀刻设备等。而且，要想以低成本制造功率半导体，改善处理能力也很有必要。 超结MOSFET的构造。除厚膜外延及深蚀刻外，还需实施填充沟道的间隙填充外延等工序。?? 瞄准功率半导体及MEMS器件领域的举措田中介绍称，

英特尔推智能移动芯片市场新战略

英特尔一直**的是**、高性能的桌面端芯片，个人PC已经在走下坡路，但是移动设备对于芯片的需求呈现井喷式的发展，在年初的CES上英特尔大声宣告我们来了！移动芯片的舞台将出现一位颇具破坏力的**。日前，英特尔新任CEO布莱恩 科再奇（Brian Krzanich）在投资者会议上对外公布了英特尔新的移动战略，其中给我们印象*为深刻的是英特尔决定开放自己的制造工厂，这意味着未来英特尔不仅生产基于自己X86架构的芯片，也同时会为基于ARM架构的对手制造芯片。据美国《华尔街日报》11月24日报道，英特尔公司**执行长公布了战略转移计划，旨在加快公司进军移动设备和其他新市场的步伐。英特尔**执行长的科再奇(Brian Krzanich)表示，将英特尔处理器装进价格低于100美元的平板电脑等务实举措将带来好处。英特尔拥有全球*好的芯片制造工厂，肯定会增加英特尔的营收和吸引某些大厂的采用。比如拿下苹果iPhone和iPad芯片制造的订单的可能性不是没有。按照英特尔芯片制造的实力，有分析认为，如果未来苹果iPhone和iPad的芯片交由英特尔代工，其成本要小于三星和TSMC,这可能成为对于追求高利润率的

出口壁垒“抬头”，市场倒逼LED企业技术升级

日前，欧盟出台《LED照明产品*新能效规定》，对于LED灯及其设备的功能性、**性、能效性都提出了更高的要求，这意味着出口欧洲的LED企业即将接受新的考验。“在我看来，技术要求和成本的提高，对LED中小企业来说将是一个打击，而对大企业来说却是一个好消息。”浙江深度光电科技有限公司战略发展中心总监罗学成说，“这几年，因为同质化竞争激烈，LED产品在物料成本不断上升的同时，却面临着价格不断下降的压力。本就面临着优胜劣汰的LED行业，在欧盟出台新规后，将加速**。”新规能效要求超国标2.2倍，出口生产成本增二三成记者了解到，根据近日欧盟发布的《LED照明产品*新能效规定》，新能效规定是针对LED灯泡和定向光源，具体分3个阶段逐步实施：2013年9月1日、2014年9月1日和2016年9月1日。其中，在2014年9月1日后，能效指数在0.2以上的LED灯才能进入欧盟市场。而这一标准，是我国目前实施标准的2.2倍。除此之外，国家质检总局官网文章显示，新规定实施后，如欲达标单个产品的认证和抽查费用就须增加1万元人民币左右。“按照以前的要求，大部分的出口企业能达标。新规生效后，就需要投入更大成本来提

彩电上下游企业加速过渡OLED产业

彩电上下游企业加速向OLED产业过渡，然而目前OLED产业已经分为两个技术流派，对于企业来说，如何选择将决定未来的产业地位。但目前产品未量产，企业由于无法获悉消费导向，再次遭遇选择难题。国内企业开始加速转型日前，国内整机企业创维的首台OLED电视面世，这是**家国内品牌推出OLED整机。之前在全球范围内只有三星和LG的产品与消费者见面。OLED全称有机发光二极管，是*新的显示技术，可将电视厚度压缩至1cm以内，远胜过LCD电视平均5-15cm的厚度，真正实现薄如蝉翼的效果。因为其轻便性和节能性被视为下一代的显示技术。创维集团新闻发言人李从想介绍，目前新产品的薄度达到5mm。对于率先推出OLED电视，创维方面倍加鼓舞，李从想称屏幕来自于韩国合作伙伴LGD公司，除此之外，其余的前端技术创维已经完全掌握。除了整机企业，国内上游企业也快马加鞭，加速转型。日前，中国首条、全球**条5.5代AMOLED生产线—京东方5.5代AMOLED生产线投产。此项目设计产能为5.4万片玻璃基板/月，产品定位主要为中小尺寸LTPS及AMOLED**显示器件。华星光电也不甘示弱，在一期面板项目满产后，追加了二期投

LED照明只有开放思想才能大有作为

“半导体照明中国梦。”11月11日，吴玲是这样表达内心的期望。“我们的思想就要像降落伞一样，只有开放，才能大有作为。”作为国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长，吴玲坦言，“半导体照明是全球机遇，也是全球面临的挑战，需要全球共同努力。”国家半导体照明工程启动十年来，我国初步形成了从上游材料芯片制备、中游器件封装及下游集成应用的比较完整的**链与产业链，产业初具规模，特别是示范应用走在国际前列。然而，随着产业的快速发展和竞争的不断加剧，我国产业发展也面临诸多挑战。在过去多年里，该联盟曾多次调研，他们看到，与传统照明产业相比，半导体照明产业涉及半导体材料、散热、光学、封装、控制等领域，产业在复杂性、系统性、技术延展性上区别很大，呈现出产业链长、技术先进、多学科交叉、跨领域应用等特点。不过，他们也进一步了解到，“半导体照明产业国际市场竞争日趋激烈，国内企业数量多，但规模小而散，产业资源不集聚，缺乏龙头品牌企业;尤其是研发力量分散，**能力不足，缺乏具有国际竞争力的公共技术研发平台;标准认证体系不健全，市场竞争不规范，产业发展环境不完善”。吴玲并未因此悲观，“我国LED功能性照明市场渗透率现在

LED照明只有思想开放才能大有作为

“半导体照明中国梦。”11月11日，吴玲是这样表达内心的期望。“我们的思想就要像降落伞一样，只有开放，才能大有作为。”作为国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长，吴玲坦言，“半导体照明是全球机遇，也是全球面临的挑战，需要全球共同努力。”国家半导体照明工程启动十年来，我国初步形成了从上游材料芯片制备、中游器件封装及下游集成应用的比较完整的**链与产业链，产业初具规模，特别是示范应用走在国际前列。然而，随着产业的快速发展和竞争的不断加剧，我国产业发展也面临诸多挑战。在过去多年里，该联盟曾多次调研，他们看到，与传统照明产业相比，半导体照明产业涉及半导体材料、散热、光学、封装、控制等领域，产业在复杂性、系统性、技术延展性上区别很大，呈现出产业链长、技术先进、多学科交叉、跨领域应用等特点。不过，他们也进一步了解到，“半导体照明产业国际市场竞争日趋激烈，国内企业数量多，但规模小而散，产业资源不集聚，缺乏龙头品牌企业;尤其是研发力量分散，**能力不足，缺乏具有国际竞争力的公共技术研发平台;标准认证体系不健全，市场竞争不规范，产业发展环境不完善”。吴玲并未因此悲观，“我国LED功能性照明市场渗透率现在

传感器行业发展前景分析

2013年，传感器领域出现了新的社会动向。世界各国的设备及系统相关企业欲建立每年使用1万亿个传感器的社会“Trillion Sensors Universe”。通过在各个场所配置规模为目前100倍的传感器，充分利用其信息，将实现不连续的增长。 被称为“万亿**”的这一动向出现的契机是美国的产学联合会议“TSensors Summit”。该会议由创立了7家传感器相关风险企业的Janusz Bryzek（飞兆半导体公司MEMS与传感器解决方案部门副总裁）提议，Bryzek与领导传感器网络的先驱——美国BSAC（伯克利传感器和执行器中心）、现任加州大学圣地亚哥分校工学院院长的AlbertP.Pisano等共同决定于2013年春召开这次会议。日本也定于2014年2月举行“Trillion Sensors Summit Japan2014”。 支持并参加该会议的有来自ICT（信息通信技术）、零部件（半导体、电子部件）行业，以及大学和研究机构的很多**企业和组织。 用户也对传感器**寄予厚望 传感器**受到关注的理由主要有三点。 **，以传感器为首的电子部件的用途偏向于智能手机和功能手机。电子部件

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。SiC备受汽车行业的

新一代功率半导体：元件开发竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年 9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。SiC备受汽车行业

元件开发竞争激烈亚洲企业也纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。 SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。 由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiCMOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiCMOSFET。 SiC备受汽车行业的期

2013年家电半导体市场规模暴增达26亿美元

　　2013年，家电半导体市场规模增长达到两位数，这表明数字家居以及物联网工业正蓬勃发展。2013年家电半导体市场增幅为12%，规模达到26亿美元，去年这一数字为23亿美元，去年的涨幅为6.8%。如今，使用半导体*多的家电产品为空调和洗衣机，两者占到家电半导体市场总营收的60%。IHSiSuppli分析师DineshKithany表示：“家电业的强势表现带动了半导体市场的繁荣。新兴市场国家的消费者愿意花更多的钱购买家电产品，环保健康理念的风行以及家电产品中越来越多地使用电子设备，让家电半导体市场受益良多。”据预计，未来一直到2015年，家电半导体市场都会保持两位数的增幅，此后，增幅虽有降低，但也能达到9%左右。按照IHSiSuppli的预测，家电半导体市场的规模将在2017年达到38亿美元。目前，家电微控制器大多为8位的设备。IHS预测，未来四年微控制器将会迅速升级为32位，而这要得益于电子显示屏、触控技术、感应器以及变频技术在家电设备中应用逐渐广泛。

全球传感器产业将迎来“万亿**”

2013年，传感器领域出现了新的社会动向。世界各国的设备及系统相关企业欲建立每年使用1万亿个传感器的社会“TrillionSensorsUniverse”。通过在各个场所配置规模为目前100倍的传感器，充分利用其信息，将实现不连续的增长。被称为“万亿**”的这一动向出现的契机是美国的产学联合会议“TSensorsSummit”。该会议由创立了7家传感器相关风险企业的JanuszBryzek（飞兆半导体公司MEMS与传感器解决方案部门副总裁）提议，Bryzek与领导传感器网络的先驱——美国BSAC（伯克利传感器和执行器中心）、现任加州大学圣地亚哥分校工学院院长的AlbertP.Pisano等共同决定于2013年春召开这次会议。日本也定于2014年2月举行“TrillionSensorsSummitJapan2014”。支持并参加该会议的有来自ICT（信息通信技术）、零部件（半导体、电子部件）行业，以及大学和研究机构的很多**企业和组织。用户也对传感器**寄予厚望传感器**受到关注的理由主要有三点。**，以传感器为首的电子部件的用途偏向于智能手机和功能手机。电子部件的增长依赖于特定的应用产

中国低维结构光学微腔材料研究取得新进展

　　中科院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室在低维结构光学微腔材料研究中持续取得系列**性研究成果，研究成果已在材料领域国际期刊Journal of Material Chemistry、Nanoscale、Journal of Material Chemistry C上发表。 上海光机所研究员张龙、博士董红星带领研究小组围绕低维结构光学微腔开展了系列宽禁带半导体金属氧化物新型微腔体系的设计、制备、光场调制及紫外激射研究。取得的**性研究成果包括： 1）利用碳热还原合成技术，实验上**实现垂直配置的一维ZnO法布里-珀罗腔，有效解决了传统平行配置的一维线状、带状微腔的额外光损失过大问题，并成功实现了室温下的紫外激射。该结果为未来微腔基紫外激光器的设计和应用奠定了前期实验基础，得到了审稿人高度评价，研究结果在Journal of Material Chemistry 上发表[J. Mater. Chem,22, 3069-3074（2012），影响因子6.101]； 2）利用Sb掺杂技术，**获得P型浅掺杂一维四角类波导ZnO光学微腔，实验上发现这种新型微腔体系对光场具有非常有效